缺陷诱导纳米氧化物(ABOx)室温磁性和铋硫化合物各向异性热电性能研究

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未来技术的挑战,它不仅可以控制电子电荷,而且还能操纵电子自旋,电子量子态以及光子。鉴于低能消耗,高速传输和大规模集成器件的需求,自旋电子学便诞生,它体现自旋和电荷的协同作用和多功能使用。磁半导体,它拥有高于室温的居里温度,同时也是实现自旋器件的可靠侯选者。由于在下一代多功能自旋器件中的潜力应用,稀磁半导体(DMSs)已经广泛地受到关注。尽管掺杂过渡金属(TM),是一种获取稀磁半导体的方法,但是这种方法有着自己的缺点,掺杂可能导致二次相和团簇的存在。但是,由于过渡金属的低溶解度,二次相和团簇的存在,它们将会限制稀磁半导体的实际应用和复杂磁信号的解释。采用缺陷掺杂,而不是过渡金属掺杂,将会排除二次相和团簇的干扰。基于纳米氧化物ABOx,我们选取BaNbO3、BaMoO4、CdWO4作为研究对象。  由于化石燃料的需求和燃烧,导致环境恶化,以及对能源的需求增长,迫使我们寻找新的能源,尤其是洁净和可再生的能源。由于在洁净和可再生能源方面的潜在应用,热电材料受到大量的关注,它可以将热能和电能进行可逆的转化。但是,由于实验条件的限制,我们没有找到产生最大热电优值的最佳温度和载流子浓度。因此,为了提高热电优值以及为实验提供一个理论引导,我们有必要研究关于温度和载流子浓度的热电性质。基于铋硫化合物,我们选择Bi2S3、Bi2O2Se、Bi2Se3作为研究对象,研究其相关的热电性质。  本论文的主要研究结论总结如下:  (1)在UV照射前后,我们研究钙钛矿BaNbO3立方块的光学和磁学性质。在UV照射后,样品的带隙从3.94 eV减小到3.88 eV,而且在可见光范围,样品的吸收能力增强。X射线电子能谱图(XPS)揭示,样品含有氧空位。经过磁学性能测试,样品表现出弱的铁磁行为,经过UV照射后,样品的饱和磁矩从4.34×10-3 emu/g增加到6.60×10-3 emu/g。第一性原理计算表明,样品的磁性是由两个带电的氧空位V<2+,01>-V<2+,05>导致的,它迫使极化电子占据氧空位附近Nb原子的d轨道。UV照射可以使样品产生氧空位,当样品的氧空位浓度增加时,总磁矩从0.942μB增加到1.76μB,理论结果很好地符合实验结论。  (2)稀磁半导体(DMSs),拥有高于室温的居里温度,在技术和多功能方面有着重要的应用。缺陷工程是一种有效的方法,在多种非磁性的体系中,引入铁磁行为。在这里,我们第一次报道拥有氧空位的 BaMoO4样品显示铁磁行为。第一性原理计算表明,氧空位应该对发现的铁磁行为负责。当一个氧空位引入计算的体系时,Mo4d的相关电子占据态是t<1↑,2g>e<0,g>,产生1.0μB的磁性;当两个氧空位引入计算的体系时,Mo4d的相关电子占据态是t<2↑,2g>e<0,g>,产生2.0μB的磁性。因此,产生磁性的机理是,未成对电子占据d轨道,处于高自旋态,进而显示铁磁行为。我们的发现证明,室温铁磁行为可以通过缺陷工程进行引入。  (3)我们通过水热法,在200℃的条件下,合成宽为80纳米,长为300纳米的单斜相CdWO4纳米棒。在0 K到300 K的温度范围,我们研究依赖温度的光致发光性质,光谱显示两个峰,438 nm(2.83 eV)和490 nm(2.53 eV)。我们发现,438 nm和490 nm峰的发光强度,随着温度上升,而下降。这种强烈地依赖温度的发射强度是由于非复合的热淬灭导致的。强烈依赖温度的发射峰,可以采用电声耦合进行解释。理论证明,V O0和1OV?分别导致438 nm和490 nm的峰。另外,我们发现,在氧空位V O1?附近,未填满的W t2g拥有一个电子,显示高自旋态,表现出磁性,却被磁性测试所证明。CdWO4纳米棒,在没有任何磁性离子存在的情况下,实现室温铁磁行为。  (4)我们研究Bi2S3材料的电子结构和热电性质。Bi2S3材料的电子和空穴的有效质量详细地被分析,从分析中,我们知道,在不同的方向,Bi2S3材料有着不同的热电行为,在ac平面,较高的热电优值可能取得。对电子掺杂的Bi2S3材料,最佳载流子浓度是1.0×1019 cm-3?5.0×1019 cm-3,在这个浓度范围内,最大的热电优值,ZT=0.21。考虑到热电性质的各向异性,在ZZ方向,我们可以取得最大的热电优值ZT=0.36.  (5)基于第一性原理和玻尔兹曼输运理论,我们讨论Bi2Se3单层依赖温度和载流子浓度的热电性质。当载流子浓度固定在3.24×1018 cm-3时,温度在900K时,我们可以取得,最大热电优值ZT=19,然而考虑到各向异性时,在XX方向,我们可以取得,最大的热电优值ZT=25。当载流子浓度可以变化时,在4×1019 cm-3和900K的时候,我们可以取得,最大的热电优值ZT=38,然而考虑到各向异性时,在YY方向,我们可以取得,最大的热电优值ZT=72。与实验数据相比,我们发现计算结果粗糙地符合实验结果,意味着计算的合理性。除了石墨烯外,更多的二维材料应该被关注,我们的计算结论,为探索高效率的热电材料提供一条路径。  (6)采用Tran-Blaha修改的Becke-Johnson(TB-mBJGGA)势和玻尔兹曼输运理论,我们计算Bi2O2Se的电子结构和传输性质。在压缩压力和拉伸应力作用下,Bi2O2Se的带隙减小。通过理论计算,我们预测:在n型掺杂中,压缩应力使塞贝克系数增大;在p型掺杂中,拉伸应力使塞贝克系数增大;在n型掺杂中,压缩应力使功率因子增大;在p型掺杂中,拉伸应力使功率因子增大。在p型掺杂的Bi2O2Se中,在拉伸应力(2.3%)的情况下,我们可以取得,最大的热电优值ZT=1.42,考虑各向异性时,在ZZ方向,ZT=1.76,证明Bi2O2Se是一种优良的热电材料。理论计算证明,应力工程可以改良热电材料的电子结构和热电性质,为提高热电材料的热电优值,提供一个思路。
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