宽禁带器件具有损耗低、开关频率快和耐高温的特性。基于宽禁带器件的双向隔离型AC-DC矩阵变换器在保留双向隔离型AC-DC矩阵变换器一系列优点的基础上,进一步提高了变换器的转换效率和功率密度。为了准确评估变换器损耗,探究变换器损耗分布规律,本文开展了对基于宽禁带器件（Si CMOSFET和Ga N-HEMT）的双向隔离型AC-DC矩阵变换器损耗的分析、建模和评估工作。首先,建立了一整套完整的双向隔离型AC-DC矩阵变换器损耗模型。该模型系统的描述了变换器中的高频变压器损耗、电力电子器件损耗和其它损耗,其中高频变压器损耗采用了基于Tourkhani公式的变压器绕组损耗计算方法和基于Steinmetz经验公式的磁芯损耗计算方法。在建立损耗模型时,为了解决高频变压器等效电感上通过的电流难以明确表征的问题,利用叠加原理的思想单独考虑双线电压调制中所采用的各段电压作用在等效电感上的电流,再将各电流相加得到电感电流。电力电子器件的损耗主要包括通态损耗和开关损耗。其中,通态损耗模型采用了基于开关器件静态电压电流特性的计算方法。考虑到变换器的实际运行过程,电力电子器件损耗的建模则考虑了两种情况:满足ZVS和不满足ZVS。本文结合软开关复合调制策略明确给出了两种工作情况各自的适用范围,并据此建立了更为准确的变换器电力电子器件损耗模型。本文通过仿真和实验对所建立的变换器损耗模型进行了验证。在两种不同的工作条件下（满足ZVS和不满足ZVS）,基于损耗模型的损耗计算结果与实验测量结果的相对误差均在8%以内,由此证明了所建立损耗模型的正确性和准确性。推导的变换器全器件满足ZVS的工作范围与仿真和实验结果相符,证明了理论推导的正确性。所建立损耗模型可以用于确定变换器的最优工作范围,对变换器的设计具有指导意义。