金属钒块体中和表面上杂质原子的占位与扩散特性研究

来源 :湖南大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hsh15811353953
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
钒基合金具有良好的低活化特性和耐高温特性等优点,可应用于未来核聚变堆中第一壁结构材料。在高能辐照下,第一壁材料内部会产生大量的空位和自间隙等本征缺陷,聚变反应的反应物H和嬗变产物He等元素也会进入第一壁材料之中。在钒合金在制造过程中,微量元素(如C、N和O等)也会渗入到这些材料之中。这些缺陷和杂质会诱使这些材料发生脆化从而缩短了使用寿命。本文应用第一性原理方法研究了金属钒块体中本征缺陷的稳定性、上述五种杂质原子在金属钒块体及表面上的占位和扩散行为。  (1)从能量的角度研究了钒块体中十种典型本征缺陷的占位构型及其稳定性。金属钒中的单空位构型的形成能最低,体系最稳定;<111>方向dumbbell自间隙构型的形成能仅高于单空位构型的情况,则是第二稳定的构型;而三种双空位构型的形成能都比较高,其中<110>方向的双空位构型的形成能为4.84eV,是最不稳定的构型。  (2)从形成能、电荷密度、态密度和Bader电荷等四个方面研究了单个H、He、C、N和O原子在金属钒块体中三种不同占位下的稳定性机制。杂质与金属钒构成的总体系的形成能越低,杂质原子与最近邻钒原子之间的价电荷密度越高、杂质原子与最近邻钒原子的价态密度重叠现象越明显、杂质原子的总态密度在费米能级处的值越低以及杂质原子的Bader电荷值也越低,该体系就越稳定。所以,H和He在四面体间隙位置稳定,C、N和O在八面体间隙位置最稳定。此外,本文利用CINEB方法研究了这些杂质原子在金属钒块体中的扩散,结果表明H和He比C、N和O更容易在金属钒中扩散,其中H的扩散系数最大而N的最小。  (3)从形成能、态密度以及Bader电荷等三个角度研究了单个杂质原子在金属钒表面上的择优占位,并结合CINEB方法研究了这些杂质在金属钒表面上及次表面间的扩散行为。闭壳层结构的He经弛豫后进入真空层。H、C、N和O在金属钒表面上的hollow位最稳定,H沿hollow-bridge-hollow路径的扩散势垒最低。TIS1是表面与次表面的中间位置,H、C、N和O在弛豫后的TIS1和TIS2两种构型中比较稳定。沿hollow-TIS1路径的扩散中,C原子最难扩散、N和O原子次之以及H原子最容易扩散;H、C、N和O原子从表面进入次表面比较难,反之比较容易。在次表面内沿TIS1-TIS2路径的扩散中,H最容易扩散,C、N和O原子相对较难扩散。
其他文献
据不完全统计:一个正常的人在不被看好的环境中做事情一般只将自己的能力发挥至二到三成,而如果是同样的一个人在被看好的环境中做事情,他的能力可以发挥到九成以上。成人尚
中国画作为中华民族四大国粹之一,具有渊源流长的历史,中国画的语言和绘画载体在历史发展过程中根据相关朝代变化不断进行改进和创新,以此推动了中国画的逐步发展并走向辉煌
ZnS半导体纳米晶不仅具有无毒、良好的生物兼容性等优点,而且还具有独特的光学性质,因此近年来在荧光标记、示踪、检测等生物医学领域受到广泛的关注。本论文围绕ZnS纳米晶的
本研究中,将Zn2+和Er3+成功组装到SBA-15介孔分子筛孔道中。本研究采用了两种方法向主体材料SBA-15介孔分子筛材料中组装客体材料Zn2+和Er3+,第一种是液相移植法;第二种是共价
本文通过对荣华二采区10
学位
ZnO作为重要的Ⅱ~Ⅵ族半导体纳米材料,具有独特而优异的光电特性和很好的生物相容性,在发光二极管、传感器、光催化、生物医学等领域具有广阔的应用前景。最近,通过贵金属掺杂或
本文通过对荣华二采区10
透明导电氧化物薄膜(TCO)是一种广泛应用的光电薄膜,其中SnO2掺In(ITO)薄膜制备工艺成熟,已在工业生产中获得大范围应用。氧化锌掺铝(AZO)薄膜作为一种具有较低电阻率和可见光区高透过率的透明导电氧化物薄膜,因其相较于氧化铟锡(ITO)具有原材料丰富、无毒性、易刻蚀、化学性能稳定等特点,已经作为ITO薄膜的替代而受到广泛的研究与开发。但是目前对AZO薄膜的研究主要集中在基片温度、工作气体成
近些年来,淘宝女装——不论品牌大小——都开始意识到,从品牌建立初期就应当找准定位,树立自身独特的品牌形象。后期运营过程中,更是要极力凭借各种方式有效地向外输出自己的