【摘 要】
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非负矩阵和M-矩阵是两类有着重要应用背景的特殊矩阵。生物学、物理学和社会科学等学科中的许多问题都和M-矩阵有着密切的联系。矩阵Hadamard积和Fan积在矩阵理论研究及其应
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非负矩阵和M-矩阵是两类有着重要应用背景的特殊矩阵。生物学、物理学和社会科学等学科中的许多问题都和M-矩阵有着密切的联系。矩阵Hadamard积和Fan积在矩阵理论研究及其应用中有重要作用,近年来得到了国内外学者的关注和研究,尤其是M-矩阵Hadamard积和Fan积的最小特征值下界的估计和非负矩阵Hadamard积的谱半径上界的估计问题成为近年来的研究热点之一。本文继续这些问题的研究,获得了M-矩阵Hadamard积和Fan积的最小特征值的下界和非负矩阵Hadamard积的谱半径上界的一些新的且易于计算的估计式,并与现有估计式进行了比较和讨论,数值算例表明本文所得结果在某些情况下更为精确。
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