新型(硼)磷酸盐发光材料的合成与性能表征

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通过高温固相法合成了一系列K1+xM1-2xCexBP2O8(M=Sr,Ba)和KBaBP2O8:Eu3+荧光材料。通过各种不同的表征手段如X射线衍射分析(XRD),扫描电镜分析(SEM),X射线能谱分析(EDS),傅立叶变换红外光谱分析(FT-IR),荧光光谱分析(FS)等研究了它们的物相纯度,形貌、组成和元素分析以及光致发光性质。发光特性包括激发和发射光谱,衰减曲线,并且讨论和计算了色度坐标和色纯度。结果表明该类荧光粉可以被短波紫外光(<320 nm)有效激发,Ce3+离子5d-4f跃迁发射出长波紫外光(320 nm-400 nm)。研究了Ce3+离子其它光谱特性如斯托克斯位移,浓度猝灭现象,晶体场下降值,并且和其它硼磷酸盐进行了比较。研究了Ce3+离子掺杂浓度对发光强度的影响。同时从浓度猝灭数据中估算了Ce3+离子在基质中的临界距离Rc。在KBaBP2O8基质中研究了Eu3+的光谱特性,通过研究激发,发射光谱,浓度猝灭现象及猝灭机理,荧光衰减曲线等发现这类荧光体在394 nm左右能够被有效激发,发射橙色光(594 nm,5D0→7F1);碱金属做电荷补偿能不同程度提高荧光粉的荧光强度,该荧光粉在近紫外区芯片基w-LED和平板显示器上有潜在的应用。研究了荧光粉β-Zn3(1-x)Mn3xBPO7和β-Zn3BPO7:Ln(Ln=Ce3+,Eu2+,Eu3+)在紫外到可见区域的发光性质。β-Zn3(1-x)Mn3xBPO7荧光体在255 nm处的激发光谱包含一个宽带的激发峰,在350 nm和500 nm之间有一组线状的激发峰,这些激发峰可以分别归属为Mn2+-O2-的电荷迁移跃迁带和Mn2+离子d-d电子跃迁。发射谱带可归属为Mn2+离子的自旋禁戒跃迁4T1(4G)→6A1(6S)。同时研究了β-Zn3BPO7:Mn2+荧光粉的衰减曲线和Mn2+离子掺杂浓度对发射强度的影响。Ce3+/Eu2+离子在β-Zn3BPO7基质中显示在UV区域宽的激发和发射频段由于Ce3+/Eu2+离子的f-d电子跃迁转换。观测到Eu3+离子在β-Zn3BPO7中典型的橘红光发射。研究了它们的光谱特征包括斯托克斯位移、晶体场下降值、电子振动相互作用和电荷迁移带,并且和其它硼磷酸盐荧光体的这些光谱特征做了比较。β-Zn3BPO7:Eu2+和β-Zn3BPO7:Eu3+的荧光粉可能有潜在的应用在固态照明区域。研究了Sm3+单掺杂和碱金属如Li+,Na+,K+和Cs+作为电荷补偿剂共掺α-Sr2P2O7荧光粉的发光性质。详细的探讨了样品的激发和发射光谱,衰减曲线以及电荷补偿剂对发光特性的影响。结果表明所制备的荧光粉可以被紫外光有效地激发,发射光谱包含三个发射峰,分别在561,601,642 nm。通过在α-Sr2P2O7:Sm3+中引入电荷补偿剂M+(M+=Li+,Na+,K+和Cs+)均能够显著的提高样品的发射强度。通过高温固相法合成了两系列不同Dy3+离子掺杂浓度的荧光粉α-Sr2(1-x)Dy2xP2O7和α-Sr2(1-2x)Dy2x Li2xP2O7,并且研究比较了它们的发光性质。通过研究Dy3+离子掺杂α-Sr2P2O7晶体结构中的缺陷,详细讨论了Li+离子共掺杂对α-Sr2P2O7:Dy3+的发光强度、最佳掺杂浓度、浓度猝灭机制和衰减寿命行为等影响。激发和发射光谱表明所制备荧光粉可以通过紫外,产生Dy3+离子4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2跃迁的白光发射。计算了Dy3+离子在样品α-Sr2(1-2x)Dy2x Li2xP2O7(x=0.03)中的色度坐标和色温。目前的工作有助于认识理解电荷补偿剂(如Li+离子)对不等价取代荧光粉中发光性质的影响和有效地利用电荷补偿剂(如Li+离子)设计合成新型荧光粉。
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