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ZnSe作为重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体，在兰绿光发射器件、非线性光电器件、红外器件以及薄膜太阳能电池等方面有着广泛的应用。而ZnSe薄膜材料又是这些应用中的重点，所以，ZnSe薄膜的制备一直是研究的热点。 使用MBE和MOCVD方法制备ZnSe薄膜的工艺已经比较成熟，但由于这两种方法需要昂贵的设备和很高的运行成本，所以不利于ZnSe薄膜制备技术的推广和发展。本文的工作重点是探索更为灵活、廉价的ZnSe薄膜制备技术。 采用较为简单的热壁外延法，在