单层MoS2的电子结构及晶格动力学研究

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【摘要】

：

二硫化钼(MoS2)作为一种新型的二维层状半导体材料,因其独特的分子结构、可观的禁带宽度等优良特性,已经成为了国内外材料相关领域的研究热点之一。基于MoS2光明的研究前途,我们借助Materials Studio软件对本征态二硫化钼、空位缺陷体系、稀土元素掺杂、声子谱等多个研究方向进行了系统的计算研究,所取得的研究成果如下:1.对6×6×1的MoS2单层超胞进行了优化计算,能带结构计算结果呈现出直

【作者】

：

吴胜宝

【机构】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2014年11期

【关键词】

：

第一性原理二硫化钼电子结构声子谱磁性

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