在现代CMOS技术中,纳米尺度pMOS器件的NBTI、SILC问题已经成为工业生产中影响电路性能的一个重要问题。当CMOS工艺技术进入到超深亚微米技术代以后,氮氧硅（SiO_xN_y）替代传统的SiO₂作为栅介质得到广泛应用。本论文研究了实际电路中,纳米尺度SiO_xN_y栅介质pMOS器件中的可靠性问题。1)应力感应的漏电流机制显示,超薄氮氧栅介质在衬底注入下显著增强的SILC效应的机制是F-P发射机制和Shottky发射机制共同作用的,应力在氮氧栅介质层中产生了陷阱态。2)对于超薄氮氧栅介质而言,PBTI效应的影响与NBTI效应相比很小,所以对于BTI特性的研究可以只集中研究NBTI特性。3)系统研究了采用90nm工艺技术和改进的等离子体氮化技术（DPN）制备的超薄氮氧硅栅pMOS器件,在动态应力下的NBTI（DNBTI）特性,研究表明:由于在动态应力下存在恢复效应,与静态NBTI相比,在相同有效应力时间下,动态应力引起的阈值电压漂移量低于静态应力引起的阈值电压漂移本论文所获得的研究结果对深化NBTI物理机制的理解,建立精确预测和评估实际电路中器件寿命,寻找提高微电子器件可靠性的有效方法,提供了有意义的理论基础。