石墨烯凭借其单元子层厚,高载流子迁移率、线性能谱、强度高等特点一度成为人们关注的焦点,但其无带隙的能带结构并不适用于电路的生产。二硫化钼凭借其与石墨烯结构性质相似且带能带结构上更加优异的特点,逐渐成为新型半导体材料的研究热点。二硫化钼作为典型的过渡金属层状二元化合物,拥有极佳的热稳定性和化学稳定性,因此被广泛应用于固体润滑剂、电极材料和反应催化剂等领域。目前采用化学气相沉积法制备二硫化钼的方法比较容易在基底上生长出Mo S₂纳米层,但是产品形貌在气相流量、反应温度、反应时间等因素的波动干扰之下,所呈现的形态各异。本文通过调整Mo S₂化学气相沉积制备法中反应时间、管式炉高温区反应温度、硫源所在低温区反应温度、硫源钼源的原子量比、管式炉内瓷舟的相对位置（包括硅片所在瓷舟和钼源的相对距离、钼源在瓷舟内的堆叠高度）、硅片与管式炉水平位置的倾角、气相流量等工艺参量,制备出形貌不同、结构均匀、厚度可控的Mo S₂薄膜结构。并探求出各种制备工艺参量与纳米Mo S₂薄膜形貌的关系。本文利用XRD衍射图谱、拉曼散射图谱、扫描电子显微镜等手段对薄膜的形貌、结构进行表征,通过对表征数据结果的分析进一步研究出不同形貌的二硫化钼薄膜的生长机理。本文通过对上述制备参数的调整,成功制备出界内生长的三角形、六边形、菱形及其他不规则片状二硫化钼薄膜。另外,界外生长出多层三角形、多层六边形、纳米花状结构,并且首次利用CVD方法制备出高度从1μm到100μm不等、截面半径从300nm到20μm不等的新型纳米管状二硫化钼薄膜。并通过XRD衍射图谱、拉曼散射图谱、扫描电子显微镜等手段对产物进行了测试表征,并归纳分析了实验制备所得的多种形貌Mo S₂的生长机理。本论文的研究结论对CVD法制备多种形貌Mo S₂薄膜的研究及Mo S₂薄膜在光电领域的应用具有一定的参考价值。