目前集成电路的设计一直追求着高速、高集成度、大信息存储量的要求，从而使得MOS器件的尺寸持续缩小，由于沟道长度的不断缩小，从而产生了短沟道效应，使得原本适用于长沟道的热噪声模型已不在适用于短沟道热噪声模型。　　 本文就是针对以上这种情况，使用了基于SPICE仿真程序的MOSFET三级模型。MOSFET三级模型也成为半经验模型，这个模型不仅包括了亚阈值情况，而且还试图说明了短沟道效应和窄沟道效应。同时此模型还考虑了漏源电压引起的表面势垒降低而使阈值电压降低的效应，即静电反馈效应，也考虑了由载流子速度引起的饱和及跨导的降低。　　 用半经验模型的公式来推导适用于短沟道下的热噪声模型公式，主要采用半经验模型中的公式，再根据沟道热噪声的产生机理建立起短沟道热噪声的模型。并且根据推导出来的沟道热噪声和诱栅噪声，推导出了相关系数，最小噪声系数的表达式。最后还考虑了衬底电阻求解存以及在衬底电阻存在下的最小噪声系数。通过理论的计算值与仿真结果的对比，表现出了短沟道热噪声模型具有良好拟合性。