掺杂TiO<,2>纳米晶薄膜电极的制备及性能研究

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以钛酸丁酯、乙醇为主要原料,利用溶胶-凝胶法,提拉制备了单掺Co2+、Ce3+、La3+及Co2+、Ce3+、La3+共掺杂TiO2纳米晶薄膜电极。利用光学显微镜、AFM、XRD、紫外可见分光光度计、接触角测试仪及恒电位仪对薄膜的形貌、物相、光学性能、电化学性能及光催化性能进行了表征。实验结果表明: (1)添加剂PEG的分子量、溶胶粘度和掺杂量对薄膜表面形貌有较大的影响:PEG1000加入量达到20%(质量比)时,可制得气孔率分布均匀的多孔TiO2薄膜。 (2)稀土和过渡金属元素共掺杂使TiO2薄膜的光吸收边移动。单掺Co2+(掺杂量1.98%)、单掺Ce3+(1.98%)、三掺薄膜均产生了光吸收边向长波方向移动的现缘,即“红移”现象;三掺薄膜的掺杂量为6.39%(Ce3+2.52%、Co2+1.89%、La3+1.98%)时光吸收边“红移”最为明显(禁带宽度2.81eV);双掺(Ce3+1.5%、La3+0.75%)薄膜发生了“蓝移”(禁带宽度3.20eV)。 (3)稀土和过渡金属元素共掺杂阻碍了锐钛型TiO2向金红石型的转变,三掺杂薄膜在热处理温度达到800℃尚无金红石相形成,并且掺杂使TiO2晶格常数增大,晶格发生畸变,促进TiO2光催化活性的提高。膜层厚度为400nm左右的单掺1.98%Co薄膜的光催化活性最好。 (4)掺杂影响了TiO2电极的光电性能,适当的掺杂可以提高TiO2电极的瞬态光电流,改善TiO2电极在可见光下电流响应。500℃热处理的三掺杂TiO2电极的光电流达到最大值。纯氧化钛薄膜电极基本没有光电流产生。
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