宽禁带Ⅱ—Ⅵ族半导体具有较大的激子束缚能,是短波长光电器件的重要候选材料。其中,CdZnSe和CdZnTe系列合金材料的发光覆盖了整个可见光谱范围,通过调整合金组分和尺寸,控制不同低维结构的相互耦合,可以自由的进行能带剪裁,对基础理论研究和器件实际应用方面都具有重要意义。 本论文研究了CdZnTe和CdZnSe合金材料的生长,制备出了高质量的量子阱结构,并设计制备了复合量子阱结构以及量子点/量子阱复合结构,通过激子隧穿降低了量子阱中的发光寿命。取得了如下结果: 1、制备出Cd含量从0到1的CdZnTe合盒。在保持Cd、Zn和Te流量不变的情况下,Cd含量随衬底温度的升高单调下降,起因于反应物分子及Zn、Cd原子的吸附性及反应活性的不同。 2、设计并制备了(CdZnTe/ZnSeTe)ZnTe复合量子阱,利用泵浦-探测方法测量了CdZnTe阱层中的激子寿命,得到了690飞秒的下降沿时间,验证了载流子从CdZnTe阱层向CdSeTe阱层隧穿的构想。 3、观测到CdZnSe/ZnSe量子阱向CdZnSe量子点转变的光谱特征,为S-K模式自组装量子点生长中的表面迁移提供了光学证明。并研究了浸润层随测试温度升高的反常光学性质的起因。 4、制备了CdZnSe量子阱/CdSe量子点复合结构,光致发光测量表明存在从量子阱向量子点的激子隧穿,瞬态荧光测量表明量子阱发光寿命大幅降低。