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直拉硅片的内吸杂是通过合适的热处理工艺使氧沉淀过程仅发生在硅片体内,其产生的氧沉淀及其诱生缺陷[统称：体微缺陷(BMD)]吸除硅片表面的金属沾污。高温快速热处理(RTP)因可以在硅片中引入空位且能控制其浓度的深度分布,因而具有控制氧沉淀的作用。美国前MEMC公司在2000年左右,提出了基于高温快速热处理的直拉硅片的内吸杂工艺(MDZ工艺),该工艺具有热预算低和再现性好的优点,一直受到人们的关注。在本文的工作中,一方面改进了广泛用于制造集成电路的<100>硅片的MDZ工艺,另一方面探讨了有可能用于集成电路制造的<311>硅片的MDZ工艺,得到如下主要结果：<100>硅片的MDZ工艺通常为氩气氛下的RTP@1250℃+800℃/4h+ 1000℃/16h。研究表明：在MDZ工艺前先进行氩气氛下的1200℃/30min预处理,可以显著地促进800℃热处理时的氧沉淀形核,从而加快1000℃热处理时的氧沉淀过程。辉光放电质谱和深能级瞬态谱的分析表明：1200℃/30min预处理并没有在硅片中引入明显的金属沾污。因此,可以合理地排除金属沾污促进硅片在MDZ工艺中氧沉淀的可能性。分析认为：在通常的MDZ工艺中,RTP@1250℃所产生的空位大部分被原生氧沉淀的长大所消耗,只有小部分参与新的氧沉淀核心的形成；而1200℃/30min预处理使硅片中的原生氧沉淀得到显著的消融,这使得后续的RTP@1250℃C所产生的空位几乎都参与800℃热处理时氧沉淀的异质形核,这种情况下形成的氧沉淀核心远多于原生氧沉淀,从而显著促进硅片在MDZ工艺中1000℃C热处理时的氧沉淀。因此,1200℃/30min预处理可以减少MDZ工艺中的1000℃热处理时间,而不削弱硅片的内吸杂能力。<311>直拉硅片因具有比<100>直拉硅片更好的氧化层击穿特性,而有可能成为另外一种用于集成电路制造的硅片,但<311>直拉硅片的氧沉淀行为及内吸杂工艺尚未被研究。通过对比<311>硅片和<100>硅片在低-高两步和高温RTP-低-高三步退火(MDZ)工艺中的氧沉淀行为,发现<311>硅片的氧沉淀速率更大且形成的氧沉淀的密度更大。研究表明,上述两种硅片中氧在1000℃的扩散速度几乎没有差异。初步分析认为：由于<311>硅片中自间隙硅原子的发射比<100>硅片中的更为容易,<311>硅片中氧沉淀的形核与长大处在更有利的条件。在相同的MDZ工艺下,<311>硅片中的BMD密度比<100>硅片的高得多,因而<311>硅片的内吸杂性能更好。