MgTiO₃基陶瓷是一种重要的微波介质材料,广泛的应用于滤波器、共鸣器等微波器件,它介电性能好,原料丰富,成本低廉。但是,MgTiO₃基陶瓷烧结温度高达1400℃,且介电损耗偏大,因此降低其烧结温度、改善介电性能一直是广大材料科学家关注的问题。本论文采用固相反应法制备了MgTiO₃-CaTiO₃陶瓷,探讨了对MgTiO₃基陶瓷的A掺杂改性机理的研究、AB位共掺杂对MgTiO₃-CaTiO₃陶瓷的烧结特性,相结构变化和介电特性的影响。研究了十一种掺杂离子对MgTiO₃陶瓷的介电性能的影响,初步探索了掺杂改性的机理。主要内容为:1.研究了不同离子(A位:Zn²⁺,Cu²⁺,Li⁺,CO²⁺,La³⁺,Ni²⁺,V⁵⁺)掺杂对MgTiO₃-CaTiO₃陶瓷的介电性能的影响。根据电荷平衡,A位或B位异价掺杂会导致缺陷的产生。研究发现,适量的离子掺杂,可以有效的降低烧结温度,提高烧结致密度,这主要是因为烧结过程中出现的液相使颗粒之间更加紧贴,或是形成的固溶体促进了烧结。同时,离子掺杂也使介电性能得到改善。2.研究了AB位共掺（Zn-Al,Zn-Zr,Cu-Al,Cu-Zr）对MgTiO₃-CaTiO₃陶瓷的介电性能的影响。共掺后,MgTiO₃-CaTiO₃陶瓷的烧结温度降低,烧结致密度提高,介电损耗降低,AB位共掺可以有效的抑制中间相MgTi₂O₅的产生,并使介电性能得到改善。