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荧光和振动特性是半导体材料最重要物理性能之一,对其研究可以提供辐射在半导体中产生,传播及有关半导体能带结构、缺陷、电子、声子等最基本的物理性质和信息。Zn基Ⅱ-Ⅵ族纳米材料是直接宽带隙半导体材料,在电子、光电子特别是发光器件中,得到了广泛应用,成为当今研究热点。本论文利用热蒸发法制备出具有不同形貌的ZnS和ZnSe纳米结构材料,对其结构、荧光和振动等特性进行了系统研究。具体内容如下：1.研究了ZnS纳米线和ZnS纳米带变温光致发光光谱(PL)中紫外、可见光两个波段的荧光特性,研究了ZnS纳米带和纳米线中激子及缺陷的相关性质。在紫外发射区域,ZnS纳米带中观察到自由激子发射(FX),自由电子跃迁到受主能级发射(e,A)以及与之相对应的纵向光学模声子伴线(10K)；而在ZnS纳米线中,仅观察到中性施主束缚激子发射(D°,X)和自由电子发射(10K)。随温度逐渐升高,发现变温PL谱中FX和(D°,X)的峰值和强度随温度的变化关系与经验公式符合地很好。在可见光发射区域,ZnS纳米线中观察到了施主受主对发射(DAP)和自激发发射(SA)带,而在ZnS纳米带中却观察到与晶格缺陷有关的Y带发射。Y带发射在温度低于50K时消失。施主-受主对和自激发发射的峰值和半高宽(FWHM)随温度呈现不同的变化趋势。通过对ZnS纳米带和纳米线紫外及可见光发射的研究,提供了电子态等相关信息,揭示有关辐射机理等。2.通过调整不同沉积位置,可以调控ZnSe纳米结构从立方相到六方相演变。选取沉积位置距离中心为31,27和22cm的ZnSe纳米结构,依次标记为样品S1,S2和S3。通过XRD测试对三个样品进行物相分析,观察到S1为立方相,S3为六方相,S2介于立方和六方相之间,说明随着沉积位置的改变,从S1到S3,ZnSe从立方相演变为六方相。拉曼散射谱也观测到类似的变化,从样品的室温拉曼散射谱中观察到ZnSe的横向光学振动模(TO),纵向光学振动模(LO)等模式。而E1(TO)模式仅在S3中观察到,这种模式仅存在于六方结构中,这与S3是六方结构相符合。光致发光发射谱也证实晶相的变化,样品S3的发射峰和样品S1的发射峰相比明显蓝移,引起发射峰蓝移的原因是六方结构的ZnSe(样品S3)带宽要比立方结构的ZnSe(样品S1)大。