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随着信息技术的快速发展,分子基磁性材料因其在高密度信息存储、磁开关、量子计算机和自旋电子学等中的潜在应用而日益受到研究者的青睐。其中,基于单分子磁体(SMMs)、单离子磁体(SIMs)和单链磁体(SCMs)等的研究是该领域的热点。本文采用溶剂热等方法合成了两个Co(Ⅱ)基和两个Ln(Ⅲ)基的配合物,通过X-射线单晶衍射、元素分析、粉末衍射(PXRD)、TG等方法进行结构表征,并详细地研究了其磁性质。使用两种具有不同取代基的结构相似的配体2-甲基-8-羟基喹啉(HCHQ)和2-氨基-8-羟基喹啉(HNHQ),合成了配合物Co(CHQ)2Py2(1)和Co(NHQ)2Py2(2)。通过磁性测试发现,配合物1和2都表现出场诱导的单离子磁体行为,具有缓慢磁驰豫现象,磁慢驰豫过程都包括直接过程、拉曼过程和奥巴赫过程,1的交流全程拟合结果:Ueff=60.10 K,τ0=3.83×10-8 s。对2:Ueff=56.44 K,τ0=2.82×10-8 s。配合物1的能垒Ueff大于2。因其结构相似,官能团的不同导致了磁驰豫行为的差异,通过比较供体对SIM性能的扰动,来进一步探讨Co(Ⅱ)SIMs性质与磁结构相关性。高场和高频电子顺磁共振(HF-EPR)测量表明1和2具有易面磁各向异性。以对苯二甲酸(H2BDC)为配体,镧系金属为自旋载体,构筑了两个基于Ln(Ⅲ)的同构的MOFs[Dy(BDC)(NO3)(DMF)2]n(3)和[Tb(BDC)(NO3)(DMF)2]n(4)。磁性研究表明,配合物3和4具有良好的单分子磁体行为。配合物3在零直流场下,磁驰豫过程包括拉曼过程和奥巴赫过程,拟合得到τ0=1.05×10-77 s,Ueff=42.27 K。然而,在1.0 kOe直流场中,磁驰豫过程只有奥巴赫过程,拟合得到Ueff=42.27 K,τ0=9.62×10-8 s。配合物3在加热失去配位的DMF分子后变为配合物3a,它们之间的结构转变是可逆的,其磁性研究发现,配合物3具有频率依赖缓慢磁驰豫行为,而配合物3a没有,因此可以通过改变其配位模式实现分子磁开关效应。