【摘 要】
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同轴纳米线(同轴纳米电缆)和半导体发光纳米线由于在未来的电子、光电子纳米器件中的连接,纳米光学器件和高强度复合材料上的潜在用途,以及有可能出现新的物理学效应而成为纳
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同轴纳米线(同轴纳米电缆)和半导体发光纳米线由于在未来的电子、光电子纳米器件中的连接,纳米光学器件和高强度复合材料上的潜在用途,以及有可能出现新的物理学效应而成为纳米材料科学和凝聚态物理学领域研究的热点和前沿.然而,如何有效地合成这些材料却面临着挑战.该文用催化和无催化的气相沉积法合成了Si/SiO<,2>包覆的α-Si<,3>N<,4>、Al<,2>O<,3>包覆的MgAl<,2>O<,4>和MgB<,2>包覆的MgB<,4>等新的同轴纳米线和β-Ga<,2>O<,3>、SiO<,2>和GeO<,2>等半导体纳米线(带),通过生长条件研究和生长过程的讨论为一维纳米材料有效的合成提供可借鉴的经验,难过对它们的结构和物性研究指出了它们潜在用途.用矩形螺蜷线生长模式合理解释了纳米带的形成原因.
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