随着微波技术的不断发展,微波收发信机不断地向小体积、高功率的方向发展。微波高功率的需求对微波器件提出了更高的要求,GaN作为一种新兴的宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度快、击穿电场高、介电常数小、热导率高、化学性质稳定和抗辐照能力强等优点,成为高温、高频、大功率微波电子器件领域的首选材料之一。随着微波收发信机小型化要求的提出,其中应用的功率放大模块一般采用体积更小的晶体管管芯进行设计。本文对晶体管管芯S参数的特性以及测试环境进行了分析。分析表明通用的矢量网络分析仪所配备的测试夹具往往不能满足测试管芯S参数性能的测试要求,而特定的管芯参数测试系统价格非常昂贵,因此本文研究利用现有矢量网络分析仪的测试夹具搭建低成本的管芯参数测试电路,然后利用软硬件结合的方法,提取管芯的S参数。这对于利用管芯进行小型化的功率放大器设计具有重要的现实意义。本文首先介绍了目前矢量网络分析仪在管芯参数提取领域中广泛存在的校准误差,分析了各项误差的产生机理,然后针对其中可修正的系统误差列举了误差校准的方法,着重介绍了利用TRL校准方法进行平面电路测试的技术。通过TRL校准,把测试参考面设定在指定的位置,以便对DUT(待测器件)的性能进行测量。随后针对GaN宽禁带管芯参数的提取,设计制作了TRL校准件,提取了GaN管芯在不同静态偏置点下的S参数。最后,对测试结果进行了分析。