【摘 要】
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该文首次研究了在转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)和第Ⅱ类哑畴(ⅡD)的变化规律,实验发现转动面内场作用下三类硬磁畴的软化亦存在一个临界面内场范围[H
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该文首次研究了在转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)、第Ⅰ类哑铃畴(ⅠD)和第Ⅱ类哑畴(ⅡD)的变化规律,实验发现转动面内场作用下三类硬磁畴的软化亦存在一个临界面内场范围[H<,ip(0),H<,ip>],且这个临界面内场范围[H<,ip(0),H<,ip>]比不转动面内场时的临界面内场范围[H<,ip(0),H<,ip>]明显变窄.该文还研究了软畴段在面内场作用下的行为,发现面内场对软畴段的条泡转变场H<,sb>和软泡灭场H<,0>有很大的影响,而且H<,sb>和H<,0>随H<,ip>的变化与晶向有关.比较不同晶向上的结果,得到了一个与磁泡材料参量相关的分界面内场(H<,ip>)<,d>.该分界面内场将面内场对软畴段的影响分为高面内场区和低面内场区.
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