阻变随机存取存储器（RRAM）因切换速度快、存储密度高、功耗低等优点,被认为是下一代非易失性存储器（NVM）存储技术的热门选择。在外加电场的作用下,RRAM可以在高电阻状态（HRS）和低电阻状态（LRS）之间切换,具有电阻开关的性质。然而,传统的RRAM需外置电源驱动,难以满足低能耗、可移动物联网等应用的需求,开发自驱动阻变器件有利于构建便捷、低能耗的物联网系统。近年来,纳米发电机作为一种新型的能量转换装置广受关注,其具有结构简单、低频输出高、造价低廉等优点,被广泛应用于自驱动传感器领域。本论文基于纳米发电机,研究机械运动模式下阻变器件的自驱动阻变性质,在没有外部电源的情况下实现电阻的开关,以及实时监测环境中的机械运动。论文以Pr0.7Ca0.3Mn O3（PCMO）作为阻变材料,研究在纳米发电机驱动下PCMO的自驱动阻变特性,具体内容如下:（1）分体式自驱动阻变器件。采用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备了不同厚度的PCMO阻变器件,材料性质表征表明PCMO生长质量良好,薄膜厚度均匀且粗糙度较低,在传统电源驱动下的开关比最高可达9×10~7。由导电胶布、聚四氟乙烯以及导电泡棉组成摩擦纳米发电机（TENG）,收集机械运动的动能转化为电能,驱动PCMO实现阻变功能。研究了接触分离工作模式下,不同运动条件对PCMO薄膜的阻变特性的影响,发现低频的TENG运动更能稳定触发阻变现象,高频下阻变的稳定性及响应度有所下降。在TENG运动触发下,所制备的四个样品都展现了良好的阻变性能,最大开关比高达2×10~5,在测量的50个开关周期内,开关比性质稳定,但相对传统电源触发的开关比有一定程度的下降。比较研究了TENG在水平滑动模式下,PCMO薄膜的阻变性能,发现类方波信号更有利于触发阻变,但相比接触分离模式,滑动模式因输出电信号不对称,不易触发稳定的阻变现象。（2）一体式柔性自驱动阻变器件。采用磁控溅射技术在柔性的铝箔上制备了不同氧分压条件下沉积的PCMO阻变器件;设计了基于聚偏二氟乙烯纺丝层的压电纳米发电机（PENG）,研究了压电纳米发电机在不同作用力下的阻变性质。发现对PENG所施加的力越大,器件的开关比越高,阻变现象越稳定;施加力的时间越长,器件的阻变行为越稳定;在直接对纺丝层进行弯曲的测试中发现,纺丝拉伸应变程度小时,阻变行为不稳定,但仍有很大的开关比,当拉伸应变程度加大,开关比能达到4×10~4,与电源驱动下的开关比4.62×10~4接近。相比于TENG,PENG输出电压低但电流高,可以在较低的电压下实现自驱动阻变,而TENG需要输出一个相对高的电压才能实现自驱动阻变。在PENG拉伸应变较大时,器件的开关比与传统电源供电时的水平一致,此外PENG不需要相对运动的空间,更易于便携化发展,有利于拓宽自驱动阻变器件的应用场景。本工作所制备的自驱动PCMO阻变器件能够灵敏的反应机械运动。基于PCMO的阻变器件在多个开关周期中显示出良好的响应能力和良好的稳定性。除了在NVM中的应用外,这种自驱动的阻变器件在自驱动传感器和人机交互领域也有潜在的应用前景。