日益严重的环境污染问题不仅给社会的进步带来沉重负担还对人类的健康构成巨大威胁,其中重金属离子污染和制药废水污染由于其独特的微量高毒害和能够长期稳定存在于环境中的性质,已成为备受关注、亟待解决的环境污染问题。绿色、高效、低耗能的光催化技术已被广泛应用于处理环境污染问题,但传统的光催化剂存在可见光吸收范围窄、载流子分离效率低和光腐蚀严重等缺陷,因此制备更加高效的光催化剂材料并深入挖掘光催化机理是研究者们急需解决的科学问题。二硫化锡（SnS2）作为一种有前途的可见光响应光催化剂,低成本、合适带隙、化学稳定性和环境低毒性使其具有极好的研究价值,然而材料自身较低的电子-空穴分离效率无法满足实际所需的去除效果,限制了它在实际工业废水处理操作中的广泛应用,因此对SnS2光催化剂材料进行改性至关重要。与其他材料复合形成异质结结构是最常用的半导体材料改性方式,其中直接Z型异质结（Direct Z-scheme heterojunction）结构由于独特的光催化驱动的强氧化还原能力和氧化还原活性位点,使其与其他异质结结构相比能够更大效率的提高材料本身的光催化性能,因此选择合适的半导体材料与SnS2光催化剂复合并构建新型的直接Z型异质结以扩大光响应范围和光催化性能对于SnS2材料的改性至关重要。本文中我们有目标导向性地将SnS2分别与其他半导体材料如硫化铟银（AgIn5S8）和硫化铟（In2S3）进行复合使其形成直接Z型异质结结构,具体研究内容如下:1.以SnS2材料为基础通过一步水热法合成了直接Z型AgIn5S8/SnS2异质结光催化剂,通过Pb（Ⅱ）吸附、Cr（Ⅵ）还原实验和循环重复实验表明复合材料在去除重金属离子方面的优良性能和循环稳定性方面的独特优势,通过光学性能测试和理论计算探究了Pb（Ⅱ）吸附以及可见光条件下光还原Cr（Ⅵ）的机理,并揭示了复合材料光催化性能的提高是由于电荷载流子的有效分离和快速迁移,此外,原子力显微镜（AFM/Atomic Force Microscope）与开尔文探针力显微镜（KPFM/Kelvin Probe Force Microscopy）实验的结果成功证实了内建电场的存在。2.通过调控反应条件合成了三维蒲公英状In2S3并将其负载到以二维超薄六方形SnS2纳米片为基板衬底材料上,成功构建了遵循直接Z型载流子转移路径的3D/2D In2S3/SnS2新型异质结光催化剂材料。与纯材料相比,新型复合材料的具有更大的BET比表面积和更强的载流子分离、转移效率,有利于光催化性能的提高。结果表明,IS（1.5%）/SS在可见光条件下降解环丙沙星和还原Cr（Ⅵ）方面表现出最好的光学性能,降解和还原的效率分别为89.6%和95.6%。此外,通过功函的理论计算和光催化机理的阐述,成功证实了In2S3/SnS2材料内建电场的存在和高效的直接Z型载流子转移路径。对环丙沙星以及实际制药废水的矿化效率实验和COD去除效率实验,表示材料具有优良的实际应用前景。