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砷化镓(GaAs)是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体光电材料,在室温下(300K)其禁带宽度Eg=1.42eV,具有很高的电子迁移率、半导体特性以及光电特性,是目前发展大功率电子器件的最重要也是最基本的材料之一,深受国内外关注。广泛应用于微波和高速器件,光伏领域以及卫星数据传输、通信、军事等领域。工业上制备GaAs材料的方法有很多,电化学沉积法在近年来屡有报道,一般分为采用不同的电沉积手段(主要有恒压电沉积法,恒流电沉积法,脉冲电流沉积法,脉冲电压沉积法等),以及提高阴极极化(主要包括不同的前驱液配比浓度及pH值,不同的基底材料,以及不同的络合剂对实验的影响)两种途径进行实验。本文中实验采用恒电压沉积法,以及脉冲电流沉积法,以金属Ga与As203为原料,在酸性前驱液中制备纳米级GaAs薄膜材料,并对其形貌、化学计量比以及光学特性进行了系统分析。主要结果如下：(1)采用电化学恒压法,通过不同的表征手段,分析了GaAs薄膜的电化学合成原理,并且考察了在室温下电化学恒压合成GaAs薄膜实验中Ga与As的化学计量比、前驱液pH值、沉积电压值,以及退火温度与时间对GaAs薄膜形成的影响。同时,对薄膜的光学性能做了详细的分析。(2)采用恒电压法制备的GaAs薄膜,成膜颗粒较大,颗粒均匀性较差,影响到薄膜的平整度。因此,本研究还通过脉冲电流沉积法,采用络合剂EDTA,合成了GaAs薄膜。通过研究络合剂的作用、脉冲电流占空比、峰值电流密度、退火条件对Ga与As的原子比、GaAs薄膜形貌的影响,得出脉冲电沉积GaAs薄膜的最佳参数,并研究了GaAs薄膜的光学特性。