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量子点材料作为一种新型荧光材料,与传统的有机染料分子和LED荧光材料相比,它具有发射波长可调、半峰宽窄、斯托克斯位移大、色域广、显色指数高等优势。然而其复杂的合成方法、不易控制的合成过程、以及热稳定性差、发光机理不清晰等问题限制了其进一步的发展与应用。基于此,本论文通过简单易行的合成方法合成了几种量子点发光材料,对其晶体结构和发光性能进行表征,希望能得到性能优异的量子点发光材料并对其潜在应用进行探索。主要结果如下:（1）使用固相研磨法合成了Cd1-xZnxS（0≤x≤0.875）量子点并对其性能进行了表征测试。所得到的量子点材料拥有良好的单分散性、高结晶性及稳定的晶体结构等特点。发射光谱表明其具有约560 nm处的橙红光发射。其中Cd0.375Zn0.625S量子点的荧光寿命为177.36 ns,远高于其他常见量子点的荧光寿命。探究Cd0.375Zn0.625S量子点的热猝灭性能,结果显示在120 oC下其发光强度仍为室温下的46.92%,且仅发生了14 nm的蓝移。结果表明,该Cd1-xZnxS（0≤x≤0.875）量子点具有稳定的晶体结构,在LED器件的应用方面有很高的应用潜力和价值。（2）采用热注入法合成了具有四方结构的油溶性CuInS2/ZnS量子点,并对其反应时间和包覆过程进行了监控,探索了油溶性CuInS2/ZnS量子点的最佳合成条件。ZnS壳层的包覆使得CuInS2量子点被钝化,量子产率从1.29%（CuInS2量子点）增加到65.07%（CuInS2/ZnS量子点）。在CuInS2和CuInS2/ZnS量子点中,主要的辐射跃迁途径为DAP重组,因此样品的发射光谱半峰宽均较宽,热释光谱所得到的结果也很好的证实了其DAP复合过程。将黄光YAG:Ce荧光粉、蓝光InGaN芯片与红光发射的CuInS2/ZnS量子点组装得到白光LED器件,当CuInS2/ZnS量子点体积与YAG:Ce荧光粉质量的比值为0.63时,白光LED器件的色坐标为（0.3814,0.3237）,色温为3415 K,具有良好的实用性和适用性。（3）利用溶液法合成了水溶性CuInS2/ZnS量子点并探究其最佳合成条件。鉴于Zn（OH）2是两性氢氧化物,因此ZnS壳层溶液的pH值对所合成的水溶性CuInS2/ZnS量子点的光学性能有显著的影响。以Zn（oAc）2·2H2O为Zn源、pH=10条件下配置的ZnS壳层溶液,包覆时间为40分钟,此条件下所得到的水溶性CuInS2/ZnS量子点具有最好的发光性能。将水溶性CuInS2/ZnS量子点与饱和NaCl溶液共结晶,所得到的共结晶盐具有良好的热猝灭性能,环境温度达100 oC时发光强度仍为室温下的59.72%,相比于其他量子点发光材料有了明显的提升。