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透明导电的铌掺杂二氧化钛(TNO)具有导电性好和可见光波段透射率高的性质,与标准半导体制造工艺兼容性好,容易制备成膜和其他各种纳米结构。掺铌二氧化钛透明导电氧化物(TCO)薄膜在近红外(NIR)波段其介电常数的实部可为负值,同时相较于传统的贵金属等离子体材料(plasmonic material)其损耗更低,且具有良好的可调性,有望成为新型的可替代传统金属的低损耗等离子体材料。本论文主要致力于运用脉冲激光沉积技术(PLD)来制备掺铌的二氧化钛透明导电薄膜,分析薄膜的结构性质、电学性质,并研究其在近红