黑硅是硅材料（包括单晶硅、多晶硅、非晶硅）经过表面改性获得的一种新型的光电材料。它能够有效降低硅材料对太阳光谱的反射并拓宽硅材料对太阳光谱(250~2500μm)的吸收。因此，被认为是制备高效硅基太阳电池的重要候选材料之一。到目前为止，围绕硅基太阳电池的研究，已经研发出多种黑硅材料刻蚀方法，但距离太阳电池的工业化生产还存在差距。为制备硅基太阳电池应用的黑硅材料。本文自行设计并搭建了一套湿法化学刻蚀实验装置，以金化合物，银化合物，铜化合物为催化剂，对晶体硅进行了表面织构。使用紫外-可见-近红外分光光度计，光学显微镜，扫描电子显微镜，少子寿命测试仪等现代技术对制备的样品进行了光学性能，电学性能，表面形貌进行了系统研究。本论文主要工作及成果有：1、采用金辅助湿法化学刻蚀的增强广谱吸收硅表面具有纳米/微米双尺寸结构，在350~2500nm波段平均反射率低于5.5%；2、采用银辅助湿法化学刻蚀的单晶硅对太阳光谱具有选择性吸收特性，在350~1000nm波段平均反射率低达8.81%，在1100~2500nm波段平均反射率高达58.04%；3、采用铜辅助湿法化学刻蚀的单晶硅对太阳光谱人吸收性能与金字塔织构单晶硅相当，在350~1000nm波段平均反射率低达14.07%；4、研究了金属辅助湿法化学刻蚀机理，其机理主要取决于电子得失和电子传输两个方面；5、连续式微纳结构的单晶硅表面具有选择性吸收特性，离散式微纳结构的单晶硅表面具有广谱吸收特性。