【摘 要】
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近年来，ZnO光泵浦紫外激光的获得和自组装谐振腔的发现显示了用ZnO制作光电器件的潜力，随之ZnMgO合金半导体也成为近期关注的一个研究方向。将ZnO与MgO形成半导体合金薄膜，可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO合金半导体禁带宽度的目的。 本文采用脉冲激光法，用四种Mg含量不同的陶瓷靶，ZnO、Zn_(0.8)Mg_(0.2)O、Zn_(0.63)Mg_(0.37)O、Zn_(0.58)M
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近年来，ZnO光泵浦紫外激光的获得和自组装谐振腔的发现显示了用ZnO制作光电器件的潜力，随之ZnMgO合金半导体也成为近期关注的一个研究方向。将ZnO与MgO形成半导体合金薄膜，可以达到随Mg组分不同调节ZnMgO合金半导体禁带宽度的目的。 本文采用脉冲激光法，用四种Mg含量不同的陶瓷靶，ZnO、Zn_(0.8)Mg_(0.2)O、Zn_(0.63)Mg_(0.37)O、Zn_(0.58)Mg_(0.42)O，在不同衬底温度下，500℃、550℃、600℃、650℃、70
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