近年来,全无机钙钛矿由于其优异的电荷传输性能、高的色纯度和热稳定性以及低成本溶液加工特性而备受关注。然而,全无机钙钛矿薄膜的结晶过程难以控制导致形成不均匀的薄膜且容易在晶界处生成大量的缺陷。这些严重阻碍了全无机钙钛矿用于电致发光二极管（LED）器件的进一步发展。目前,现有报道是通过掺杂无机离子和添加有机配体来降低结晶温度和钝化表面缺陷。然而,大量配体或离子的引入会在晶界处诱导载流子势垒,降低载流子迁移率,导致器件的效率一直处于较低水平。在传统氮化镓无机发光二极管器件制备中,异质外延生长是制备低缺陷、高结晶质量半导体薄膜的最有效方法之一,已在光电领域得到了广泛的应用。通常,薄膜的生长结晶过程由外延衬底进行原子控制,从而能有效地减少薄膜内部的缺陷,提高光电器件的性能。基于以上的研究背景,通过制备与钙钛矿晶格高度匹配的氟化物纳米颗粒外延基底,进而控制溶液相加工的钙钛矿发光层的结晶生长过程,从而制备出高质量的发光薄膜并用于LED器件中。本论文研究的主要内容如下:1、通过简单的溶液法制备出与γ-CsPbI3晶格匹配的α-BaF2纳米颗粒基底,将其用于γ-CsPbI3薄膜的异质外延生长。一方面,基底上的α-BaF2纳米颗粒起到成核位点的作用,驱动γ-CsPbI3的外延结晶生长,并且薄膜中形成的晶粒尺寸和密度可以通过基底上α-BaF2纳米颗粒的密度来调节。另一方面,由于α-BaF2纳米颗粒和γ-CsPbI3晶粒之间的晶格高度匹配,使得界面应力几乎消除,可以获得具有特定取向的高结晶度和低缺陷的γ-CsPbI3薄膜。基于此薄膜,制造出深红光LED,其EL峰值中心在700 nm,具有1325 cdm-2亮度、14.1%的外量子效率（EQE）以及低效率滚降。本研究结果为制造可用于高性能LED和其他光电器件的高质量全无机钙钛矿薄膜提供了一条新的途径。2、在上述工作基础上,进一步发展了 SrF2纳米颗粒异质外延基底,制备出结晶度高、发光性能高并且缺陷态低的CsPbBr3薄膜。由于高度匹配的晶格,使得两者间几乎不存在界面应力,十分有利于CsPbBr3的结晶生长,能很好的降低钙钛矿内部的缺陷,抑制非辐射复合,CsPbBr3薄膜的荧光量子产率从原来的23%提升到了 45%。基于此,制备了发射峰位为517 nm的绿光LED器件,将器件的效率从0.92%提升到了 2.76%,亮度为2090 cd m-2,并且具有较低的滚降。这种方法为将来制备高稳定性的溶液旋涂绿光LED提供了新的思路。