【摘 要】
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目前，气体传感器在生活中的应用越来越广泛，高灵敏度、低功耗、小型化的气体传感器已经成为发展方向。传统的气体敏感元件如陶瓷管旁热式气体敏感元件等，由于工艺问题无法保证元件在输出方面的一致，导致后面的二次仪表难以统一配置。本实验尝试使用了半导体平面工艺制作气敏元件，以解决元件一致性方面的问题，同时要求元件有较好的灵敏度等特性。 元件主要利用溅射、光刻等半导体平面工艺在硅片上制作出其铂薄膜加热电阻
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目前，气体传感器在生活中的应用越来越广泛，高灵敏度、低功耗、小型化的气体传感器已经成为发展方向。传统的气体敏感元件如陶瓷管旁热式气体敏感元件等，由于工艺问题无法保证元件在输出方面的一致，导致后面的二次仪表难以统一配置。本实验尝试使用了半导体平面工艺制作气敏元件，以解决元件一致性方面的问题，同时要求元件有较好的灵敏度等特性。 元件主要利用溅射、光刻等半导体平面工艺在硅片上制作出其铂薄膜加热电阻，所有加热电阻都在完全相同的工艺条件下制作完成，这样就保证了加热电阻在阻值等方面完
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