由界面能带调控构建的“载流子选择性”非掺杂界面异质结,可以有效规避传统晶硅电池工艺中的高温掺杂过程,同时有效降低和抑制掺杂带来的寄生吸收/俄歇复合问题,近年来成为光伏领域的研究热点之一。本论文中,调查研究了两种有代表性的非掺杂空穴选择性传输材料,即聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)和过渡金属氧化物氧化钼(MoO_x),与晶硅基底结合构建背接触性异质结太阳电池,详细研究了这两种功能薄膜的具体参数对器件光伏特性的影响规律。主要研究内容及结果如下:(1)报道了PEDOT:PSS层对硅片表面的钝化效果随其厚度而变化的现象,并通过对太阳电池器件的光伏特征参数进行具体考察,得出PEDOT:PSS层最优厚度为200nm。(2)在太阳电池的背面旋涂较厚的PEDOT:PSS层无需担心其寄生吸收效应,将基于厚度变化的钝化提升规律应用在背结杂化太阳电池中,使得器件最终展示出较为优异的光电转换效率(PCE)为16.3%。通过在Si衬底上的采取适当的化学前处理,使得具有200nm PEDOT:PSS层的背结杂化太阳电池获得更高的PCE至16.8%。此外,这种背结杂化太阳电池的环境稳定性远高于传统正置结构。(3)使用MoO_x作为空穴选择性传输层应用在背结太阳电池中,通过插入本征氢化非晶硅[a-Si:H(i)]薄层来优化器件钝化性能,降低背面结区载流子复合。通过一系列针对钝化性能和接触电阻的设计,最终制备出效率为16.7%的背结MoO_x/n-Si器件。本论文研究的PEDOT:PSS薄膜在硅片上的钝化规律,以及MoO_x薄膜的钝化提升方法,为有机聚合物/硅电池和过渡金属氧化物/硅电池的性能进一步提升提供了新的思路。