本文利用在多孔半导体材料表面包覆氧化物制备出纳米复合材料,并对其光电特性及应用进行了研究,主要工作如下:1.采用银辅助化学刻蚀技术制备出具有良好表面形貌的多孔状硅纳米线阵列,然后通过原子层沉积（ALD）技术在硅纳米线阵列表面包覆TiO₂材料,形成Si/TiO₂纳米线阵列复合材料,并利用退火处理提高TiO₂包覆材料的晶体质量。其结果表明退火处理未影响复合材料中Si的晶体质量,而使TiO₂由非晶态转变为多晶态。当500℃退火条件下锐钛矿相TiO₂的晶体质量最高。在光照条件下,Si/TiO₂纳米复合材料对甲基橙溶液的光分解率最高可达88%（6h）。2.通过电化学刻蚀技术制备出具有多孔结构的In P材料,并进行了硫钝化处理以提高多孔结构的发光性质。采用ALD和水热法相结合的方法在In P多孔材料表面制备出具有枝状结构的ZnO材料,形成InP/ZnO纳米复合材料。并对这种复合材料进行了表征和光电性质测试,结果表明该种材料实现了350-1000nm的光谱响应范围。