氧化镍(NiO)是一种具有面心立方结构的P型半导体材料,具有良好的催化活性,电化学反应活性,热敏、气敏特性和电致变色等性能,在很多领域都拥有着巨大的应用潜力,是近年来的热门研究材料之一。本文主要工作是通过化学还原法及后退火氧化处理制备出了NiO纳米线,对纳米线的结构和组分进行了测试与分析,研究了NiO纳米线对有机染料甲基橙的光催化降解性能。主要成果如下:(1)通过优化制备参数制备出了直径约300 nm,长度为100μm的NiO纳米线;(2)结构测试表明NiO纳米线是由细小的纳米晶粒汇聚形成的多晶立方结构,纳米线中除了Ni和O元素之外不含有任何杂质元素;(3)以甲基橙染料为目标降解物,研究了NiO纳米线的光催化性能。测试结果表明:NiO纳米线具有良好的光催化活性,在进行光催化1个小时后甲基橙的降解率达到36%,光催化5个小时后,甲基橙降解率达到了77%;(4)研究了Zn掺杂NiO纳米线的光催化降解性能。结果显示Zn掺杂对NiO纳米线的光催化降解性能没有明显的改善,并对其原因进行了分析讨论。