集成电路碳纳米管通孔互连结构的工艺整合

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【摘要】

：

随着集成电路特征尺寸的减小，铜互连线上的电阻及信号延迟增大，抗电迁移能力减弱，使得电路可靠性降低。由于碳纳米管不会发生电迁移且可承受高达1010A/cm2的电流密度，故有望成为替代铜互连线的新型材料。当前研究表明，碳纳米管作为互连线的应用仍具有高电阻和与CMOS工艺不兼容等问题。本文通过通孔结构的设计及工艺制备的研究，优化了工艺条件和流程，将碳纳米管集成在集成电路通孔互连结构当中。本文首先详细研究

【作者】

：

胡凯

【机构】

：

天津理工大学

【发表日期】

：

2012年01期

【关键词】

：

碳纳米管集成电路互连 PECVD 催化剂高密度通孔结构

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