近年来受到摩尔定律限制的CMOS技术的复兴需要新材料的发掘。二维层状半导体由于其原子薄体的特性促使二维半导体材料的快速崛起,这种特性使其在尺寸减小的情况下能够不引起有害的短通道效应。p型2D半导体在许多电子和光电器件如互补逻辑电路、光电晶体管和发光二极管（LED）中起着至关重要的作用。然而,大部分二维半导体是n型的,p型二维半导体家族相对较小,极大地限制了二维半导体在实际应用中的广泛应用。虽然可通过接触工程、化学掺杂和静电掺杂等方法获得p型导电类型,但是需要复杂的制造工艺或器件结构,因此探索直接合成高质量的p型2D半导体是非常有必要的。本文首先采用第一性原理计算,研究了InGeTe3的电子能带结构,结果表明在HSE06泛函下单层InGeTe3为1.44 e V的直接带隙;随后研究发现InGeTe3单层带边具有较小的载流子有效质量和较高的载流子迁移率;为了探索实验的可能性,研究发现InGeTe3具有较低的剥离能和良好的稳定性,并且具有在可见光和紫外光范围的吸收光谱。以上表明InGeTe3具有良好的电子性质以及在实验上的可行性,为后续试验阶段奠定了理论基础。然后采用化学气相传输成功地合成了块体单晶,并通过机械剥离的方法获得了不同厚度的薄层InGeTe3单晶,利用了XRD、XPS、AFM、Raman以及TEM等手段对其进行了一系列的表征,证明了其具有良好的结晶质量。最后基于不同厚度InGeTe3薄层,我们利用了微纳加工技术成功地制备了场效应晶体管,并对不同器件进行了测试。测试结果表明InGeTe3属于p型半导体材料;接着我们对基于不同厚度和长度的沟道材料的器件进行了分析,研究发现器件性能表现出差异。其中开关比最高可达10~3-10~4之间,迁移率最高可达15 cm~2V-1s-1,亚阈值摆幅约为0.8V/decade。最后本文还研究了其低温输运特性,符合半导体输运行为,而且通过拟合电导率与1000/T的对比曲线,曲线呈现出典型的Arrhenius特征。