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MgO具有高熔点、抗溅射、二次电子发射系数高等特点，常用于PDP介质保护膜。本文主要研究了可应用于PDP的MgO材料，主要包括：(1)采用不同生长方法获得MgO晶体的前驱体，经煅烧后制备出了不同形貌的MgO微晶，着重研究生长工艺对MgO微晶形貌的影响；(2)采用不同方法制备纳米MgO粉体，着重研究制备工艺对MgO陶瓷致密性的影响。
采用CHM法生长Mg(OH)2前驱体，Mg(NO3)2·6H2O浓度的增大，Mg(OH)2的外形由不规则外形向六方片状外形转变；随生长温度升高，晶体形貌由无规则向立方体转变，生长温度为200℃时得到2μm立方体微晶。
采用水热法生长Mg(OH)2前驱体，升高生长温度和加入表面活性剂，都可以使Mg(OH)2晶体分散均匀地生长。
采用水热法生长Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O/MgCO3前驱体，改变尿素的用量，获得到立方体前驱体，煅烧前驱体获得粒径约5μm立方体MgO微晶；随着生长温度的升高，生成的前驱体由Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O向MgCO3转变，晶体外形逐渐呈现出立方体的形貌；过高的生长温度得到的晶体外形又变成无定形结构。采用MS软件，计算了MgO晶格改变时对应的能带和电子态分布，结果发现晶体的带隙与晶格常数间存在良好的量子线性关系。结合以上结果解释了CEL材料光致发光峰蓝移的原因。
采用沉淀法合成Mg(OH)2前驱体，煅烧获得纳米MgO粉体。对比四种镁盐合成的MgO粉体，氯化镁制备的MgO粉体粒径分布均匀且尺寸较小；采用该粉体烧结成陶瓷，当升温速率为20℃/min时，MgO陶瓷相对密度与线收缩率最大。采用均匀沉淀法制备碱式碳酸镁前驱体，在750℃煅烧后，经1500℃烧结获得的MgO陶瓷结构致密。
直接采用高纯Mg5(OH)2(CO3)4·4H2O为原料制备MgO陶瓷，在700℃低温煅烧后获得的MgO粉体晶粒尺寸较小(17.2nm)，较小的晶粒有利于陶瓷的致密化；较大的成型压力也有利于陶瓷的致密化；随着升温速率的增加，相对密度与线收缩率先增大后减小，当升温速率为10℃/min时相对密度与线收缩率达到最大值98.2％和19.6％：采用该MgO纳米粉烧结陶瓷的最佳温度为1300℃。