【摘 要】
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该文用电泳法制备出纯的六方氮化硼(h-BN)和c-BN薄膜,此法克服了各种CVD方法生长c-NB时所产生的污染,而且设备简单、价格低廉、膜厚容易控制.通过反复摸索得到了制备场发射用
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该文用电泳法制备出纯的六方氮化硼(h-BN)和c-BN薄膜,此法克服了各种CVD方法生长c-NB时所产生的污染,而且设备简单、价格低廉、膜厚容易控制.通过反复摸索得到了制备场发射用的c-BN薄膜的最佳工艺.样品的光学显微镜形貌照片表明,得到的薄膜较为均匀.然后又对PECVD法和电泳法生长的BN薄膜的场发射特性进行了研究,结果表明,PECVD法得到的BN薄膜具有非常好的场发射特性,其开启电场为9V/μm,最大电流密度为21mA/cm<2>,电泳法得到的c-BN覆盖膜,能够提高硅尖锥阵列的场发射性能(开启电场降低约两倍).该文还首次将神经网络的方法应用到宽带隙半导体场发射上面,结合场发射的特点,建立了神经预测模型,并以金刚石薄膜为例,分别对其场发射的开启电场、功函数及薄膜的厚度进行了预测,结果表明误差很小(小于6﹪),显示出相当高的预测精度.
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