论文部分内容阅读
有机场效应晶体管(OFETs)是以有机半导体作为有源层材料的场效应晶体管,在过去的二十几年中得到广泛的研究。经过这些年的高速发展,在制备高性能器件方面取得了很大的成就,新型OFETs的应用探索被提到日程。近年来,基于OFETs的传感器,发光晶体管,光电探测器和记忆细胞等硕果已被许多研究小组报道。为了进一步提高OFETs的性能,除了选用良好的有机半导体层材料、选择合适的器件结构之外,绝缘层的修饰也是提高器件性能的一个重要因素。因此,选用合适的绝缘钝化层,是提高OFETs’性能的一种有效途径。本论文基于目前OFETs存在的问题以及未来发展趋势,围绕选用最常用的有机小分子pentacene材料,研究了从超薄绝缘层钝化,向有源层过渡的基于pentacene层厚对C60有机场效应晶体管的功能调控,并分析了器件的性能影响。具体内容如下：(1)制备了用有机小分子Pentacene修饰PMMA绝缘层的C6o OFETs,研究了Pentacene钝化层厚度对OFETs性能的影响。与未插入Pentacene钝化层的器件相比,插入Pentacene钝化层后,改善了C60薄膜的形貌和结晶度,增强了电子的传输,实现了OFETs’性能的提高。(2)制备了用无机材料LiF修饰PMMA绝缘层的C60有机场效应晶体管,研究了LiF钝化层对OFETs的性能影响。与未插入LiF钝化层的器件相比,插入kiF钝化层后,增强了电子的传输,使OFETs性能有所提高。(3)制备了用有机小分子Pentacene作为第一有源层,C60作为第二有源层的底栅顶接触型双极型OFET,研究了退火对器件性能的影响。退火后,较好的实现了双极型的有机场效应。(4)制备了用有机小分子Pentacene和P13作为有源层,底栅中间接触型AOFETs,并研究了有源层的不同蒸镀顺序对双极器件性能的影响。