椭圆偏振测量术是利用线偏振光经样品反射后偏振状态发生变化这一现象获得样品的光学常数的光谱测量方法，它通过对样品反射光光强做傅立叶分析，求出光波P偏振和S偏振分量的反射率比和相位变化的差值，从而能够得到样品的光学信息，它具有非接触性，非破坏性和灵敏度高等优点，被广泛应用于科学研究和半导体工业中。　　本文首先介绍椭圆偏振测量术的基本原理，解谱中常用的各种色散模型以及纳米晶体硅的研究背景，然后用椭偏光谱仪对30层纳晶硅超晶格薄膜进行了椭偏测量，并用F-B模型和LorentZ模型对测试结果进行解谱，从两种结果的符合程度和由透射电镜(TEM)图样得到的薄膜厚度两方面证明了解谱结果的正确性。由拟合结果得到的光学带隙和荧光光谱峰位的差异得出纳晶硅颗粒表面对发光有相当影响的结论。而后又对SiO层厚度为2nm，3nm和5nm样品的荧光光谱进行分析，发现发光过程中量子限制效应(QC)模型和量子限制-发光中心(QCLC)模型对发光都有贡献，其中，后者占主导地位。　　文章最后对本论文的研究工作进行了小结和展望，提出了仍待解决的问题。