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硫化物半导体材料通常具有可见光和短波近红外区域的吸收能力，是一种具有潜在应用价值的可见光响应半导体光催化剂，然而也面临着一些问题如稳定性差,本身容易发生光腐蚀等，从而限制了该类光催化材料的实际应用。类石墨纳米氮化碳（g-C3N4）是一种新型的半导体材料，具有原料廉价丰富、无毒环保、稳定性好等优势，但存在光生电子-空穴易复合、光催化过程量子效率低等缺点。为了弥补硫化物、g-C3N4各自的不足，研发出新型、高效的可见光响应光催化材料，本论文以多孔g-C3N4材料为母体，在其表面组装CdIn2S4、ZnS、ZnIn2S4等客体光催化材料，构筑了三种硫化物/g-C3N4复合光催化材料体系，采用多种分析测试方法对复合材料进行了表征，并对它们的光催化性能进行了研究，进一步探讨了光催化机理。具体研究结果如下： 1.通过水热法合成了不同比例的CdIn2S4/g-C3N4复合光催化材料，采用XRD、TEM、XPS、UV-Vis DRS等方法对制备的复合材料进行了表征，结果表明，CdIn2S4与g-C3N4成功复合，并形成了二维界面。通过可见光降解甲基橙（MO）的实验考察了复合材料的可见光催化活性，实验结果显示，30％CdIn2S4/g-C3N4复合材料在100 min时降解10 mg/L的MO可达90%，远远高于单纯CN的降解效率，并有良好的稳定性。CdIn2S4/g-C3N4复合材料光催化机理的探讨发现，在光解染料的过程中，起主要作用的是空穴和超氧自由基。 2.通过简单的沉淀法制备了不同比例的ZnS/g-C3N4复合型光催化材料，采用XRD、TEM、UV-Vis DRS、PL等方法对制备的复合材料进行了表征，结果表明，ZnS微球成功修饰到g-C3N4纳米片的表面，并形成了紧密的接触面。光催化分解水制氢实验表明，所制备的所有复合样品的产氢活性都明显优于单纯的ZnS和g-C3N4，当ZnS含量为50%时产氢效率最优，达到194μmol·h-1·g-1，并具有良好的稳定性。ZnS/g-C3N4复合材料的光催化机理研究显示，该复合材料的光催化活性显著提高的主要原因是，ZnS和 g-C3N4之间具有协同作用，从而有助于光生载流子的分离。 3.采用水热法制备了g-C3N4/C/ZnIn2S4三元复合纳米光催化材料，这是首次以纳米碳作为电子介质构建 Z-型光催化体系。通过 XRD、XPS、TEM、FT-IR、PL、BET、UV-Vis DRS等方法对三元复合纳米材料进行了表征，结果表明，g-C3N4、C、ZnIn2S4三者有效复合为 ZnIn2S4/C/g-C3N4三元光催化材料。考察了ZnIn2S4/C/g-C3N4复合材料光催化分解水制氢的性能，结果显示，与单纯g-C3N4，ZnIn2S4，g-C3N4/ZnIn2S4，C/g-C3N4,以及 C/ZnIn2S4相比，Z-型光催化体系 g-C3N4/C/ZnIn2S4的产氢效率最高，并具有良好的稳定性。通过对g-C3N4/C/ZnIn2S4 Z-型复合材料的光催化机理研究发现，纳米碳的引入，是大幅度提高该三元光催化材料产氢活性的主要原因。