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ZnO是继GaN之后的新型半导体材料，具有3.37eV的禁带宽度以及高达60meV的激子束缚能，其自身性质决定了它在光电、声电、压电领域的广泛应用。近年来，随着巨磁阻效应的发现，稀磁半导体(Diluted MagneticSemiconductors-DMSs)材料开始得到人们的重视，2000年，Dietl等人从理论上预言ZnO有可能成为居里温度高于室温的稀磁半导体材料，由此掀起对ZnO基稀磁半导体的研究热潮。本文通过直流—射频反应共溅射的方法制备Cu掺杂ZnO(ZCO)薄膜，主要研究内容及结论如下：（1）利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Cu掺杂ZnO薄膜，并研究Cu靶的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响。XRD检测结果表明，所有掺杂样品均有较强的c轴择优取向，随着Cu靶溅射功率的增大，薄膜的结晶质量有所提高，超过一定范围开始降低，富氧条件有利于提高样品的结晶质量。样品的光透过率检测结果表明，随Cu靶溅射功率的增大，薄膜的光透过率减小；增大氧分压，样品的光透过率得到改善。在对样品电学特性的检测过程中发现，Cu的掺入使薄膜的导电类型发生了由n型向p型的转变，且富氧条件有利于这种转变。（2）采用磁控溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。并研究AZO（掺有2wt%Al2O3的ZnO）缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜结构、电学特性以及磁性的影响。通过各项表征我们发现，缓冲层的引入以及后续的退火处理均改善了薄膜的结晶质量，但缓冲层不利于磁性的产生。空气退火使样品中氧空位大量减少，磁性减弱；真空退火使样品中氧空位得以保存，磁性增强。所有掺杂样品均成p型导电，但样品中载流子浓度不高，电阻率较大，载流子浓度对样品的磁性影响不明显，因此对于本实验中样品磁性的产生机制，我们认为用束缚磁极化子模型来解释具有一定的合理性。