以Pd为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究

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纳米材料和纳米技术是20世纪80年代末迅速崛起的一门新学科,它是以尺寸在1~100nm范围的物质或结构为研究对象的学科。科学家们预测纳米科技将是21世纪的主导科学技术。作为纳米技术应用的基础--纳米材料,由于其独特的物理和化学性质及其在许多领域潜在的重要应用前景,已经成为当今科学研究的前沿和热点。而被誉为第三代半导体材料典型代表的GaN,由于其优良的性质及巨大的应用价值,吸引了越来越多研究者的目光。GaN是一种非常优异的Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度是3.4eV,具有高发光效率
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