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OLED技术由于其工艺简单、响应迅速、成本低、能同时实现刚性显示和柔性显示等优势,已成为目前显示技术的主要研究方向。经过近几十年的发展,OLED手机、OLED灯、OLED电视机已经逐步面市。但是,相比于绿光材料与蓝光材料,红光材料的发展却远远落后,目前报道的外量子效率最高的红光磷光材料仅为20.2%。为了解决红光材料发展的不足,减少分子堆积引起的淬灭现象,我们将红光材料中引入分子水平上的有机/无机杂化材料——低聚硅氧烷。在该结构中,无机低聚硅氧烷材料表现出较高的热稳定性和机械强度,而有机材料则柔韧性比较好。此外,低聚硅氧烷结构的引入,可以有效地抑制发光团之间的聚集和相互作用,从而提高了材料的发光效率和光色纯度。本文的研究工作受到国家自然科学基金项目资助,主要内容包括:以2-(1-萘基)-苯并噻唑(nbt)作为第一配体,以吡啶酸和载流子传输基团功能化的吡啶酸衍生物为第二配体,合成了3种新型红光铱配合物磷光材料(Ir(nbt)2(pic)、Ir(nbt)2(pic-Ox)和Ir(nbt)2(pic-Cz));引入具有纳米尺寸结构的倍半硅氧烷(POSS),得到了一种新型有机/无机杂化磷光材料POSS-7Cz-Ir(nbt)2(pic)(POSS-pic)。通过1H NMR和质谱分析,确定了所合成材料的结构;通过紫外-可见吸收光谱、光致发光光谱、热重分析和电化学分析,研究了它们的光物理特性、热稳定性和电化学性能。结果表明,四种材料的光致发光的主发射峰均在605 nm处,并且在650 nm有一个肩峰,是典型的红光材料。四种材料的热分解温度均在280℃以上,具有较高的稳定性。采用真空热蒸镀法,制备了材料Ir(nbt)2(pic)的电致发光器件;采用溶液旋涂法,制备了材料Ir(nbt)2(pic-Ox)和Ir(nbt)2(pic-Cz)的电致发光器件。详细地研究了它们的电致发光性能。其中电致发光器件的结构分别为:ITO/TAPC(20 nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic)(30 nm)/TPBi(50 nm)/Liq(2nm)/Al(150 nm)(器件1);ITO/PEDOT:PSS(30 nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic-Ox)/TPBi(50nm)/Liq(2 nm)/Al(器件2);ITO/PEDOT:PSS(30 nm)/CBP:Ir(nbt)2(pic-Cz)/TPBi(50nm)/Liq(2 nm)/Al(器件3)。结果表明,三种材料的发光器件的最大亮度均在在1000 cd/m2以上,发光效率分别为3.8 cd/A,3.5 cd/A,3.25 cd/A。本文旨在合成新型红光磷光材料,简化器件结构,改善红光OLED材料的发展落后的问题,为红光磷光材料的发展提供基础研究。