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量子点(quantum dots,QDs)是新型低维半导体纳米材料中的十分重要的一种,其独特的物理化学性质和广阔的应用前景让量子点在现代半导体材料研究中成为佼佼者。近年来,胶体量子点(colloidal quantum dots,CQDs)因其可调节的带隙、可溶液合成的制备方法和多激子产生效应等特性,日益受到人们的广泛关注,且在基于QDs的新型太阳能光伏电池、QDs发光二极管、QDs生物成像、QDs光电探测器和QDs激光等众多领域都发挥着不可小觑的作用。但目前的QDs材料普遍存在制备成本高、制备条件苛刻、常需要高温高压等特殊环境、难以形成均匀的膜面等一系列问题,因此,在量子点光电器件的前沿研究中需要找到更加简单容易的方法制备QDs光电材料,从而为后续的规模化生产提供保障。在本论文中,我们采用简单、低成本且绿色的方法,在常压和温度低于80。C的条件下制备了 SnS2及CuS量子点,并通过透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线衍射分析(XRD)、光致发光谱(PL)、光致激发光谱(PLE)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)、和X射线光电子能谱(XPS)等一系列分析测试技术对合成的SnS2 QDs及CuS QDs进行了形貌结构的分析表征以及光电性质的研究。同时,我们还制备了基于SnS2QDs及CuS QDs的光电探测器,测试和分析了两种光电器件的电流-电压(J-V)曲线、响应率(R)和探测率(D*)、电阻率随温度的变化关系(R-T)曲线以及电容-电压(C-V)曲线。主要的研究内容及相关结论如下:(1)以硫的前驱体和金属(Sn和Cu)前驱体为原料,在常压和温度不超过80。C的条件下,采用CQDs的合成方法制备了 SnS2QDs及CuSQDs。得到的SnS2QDs平均粒径为4.2 nm,CuS QDs的平均粒径为6.5 nm,两种QDs都具有良好的单分散性和均匀性;且分别对比了两种QDs的三种不同浓度的QDs形成情况,发现0.2 mol·L-1的QDs溶液单分散性和均匀性最佳。通过Raman光谱研究了两种量子点的振动模式均为Eg和Alg振动模式,且都以Alg振动模式为主。通过紫外吸收光谱Tauc拟合出的SnS2 QDs的禁带宽度为3.47 eV,CuS QDs的禁带宽度为2.30 eV,它们的禁带宽度都比其块体材料大,并分析了原因。两种量子点都表现出了良好的光致发光特性。(2)基于SnS2QDs的光电探测器在λ=365nm的紫外光照射下具有响应,响应度可达到0.10 A·W-1,探测率稳定在1011 Jones;基于CuS QDs的光电探测器在λ=850 nm的红外光照射下响应度比SnS2 QDs光电器件的大,响应度可达到300 A·W-1,探测率稳定在1013 Jones。两种光电探测器都表现出了稳定的光电探测性能,这说明两种量子点将有望应用于光电探测领域中。在接近室温的温度下,两种光电探测器的电阻率随温度的上升而增大,并探讨了两种光电器件的热激活能(Ea)。两种光电探测器的C-V变化情况也不尽相同,并探讨了他们的内建电势(Vbi)、载流子浓度(N)和耗尽层宽度(Wd),这些数据将为两种QDs光电器件的发展提供一定的科学依据。