在过去几年中,OLED产品凭借其轻薄,高效率,宽视角等优异性能进入人们的日常生活。铱（III）的有机金属配合物因为高的量子产率、热稳定性和光稳定性等优点,常作为发光材料用于OLED中。铱（III）配合物在未掺杂条件下由于浓度过高容易发生发光淬灭,故通常将其作为客体材料以合适的浓度掺杂于主体材料中,以获得较高的效率,掺杂浓度变化对器件性能影响较大,但在大规模生产中精确控制掺杂浓度,对技术要求较高。要解决这一问题,需要开发对掺杂浓度不敏感的发光材料。同时,主体材料在器件中的地位与客体材料一样重要,对器件电致发光性能有着显著影响。其中双极性主体材料,通常在单个分子中同时含有电子供体和电子受体,以实现空穴和电子输运之间的平衡,能显著提高器件的性能,因此双极性主体材料的开发意义重大。在此背景下本论文在以下两个方面进行了研究:首先,本研究将位阻基团引入到哒嗪类铱配合物中合成了合成了（tpte）₂Ir（pic）和（tpte）₂Ir（tp）,以降低材料对掺杂浓度的敏感性,同时还合成了不含位阻基团的哒嗪类铱配合物（tpp）₂Ir（pic）和（tpp）₂Ir（tp）与之对比,通过核磁、质谱和单晶确认了这一系列配合物的结构。它们的荧光发光波长范围在510nm-550nm,均属于绿光发光,测得配合物（tpte）₂Ir（pic）、（tpte）₂Ir（tp）、（tpp）₂Ir（pic）和（tpp）₂Ir（tp）的寿命分别为1622.0 ns、1984.4 ns、1667.2 ns、2032.7 ns。（tpte）₂Ir（tp）量子效率高达79.8%,（tpte）₂Ir（pic）也达到了68.5%,而（tpp）₂Ir（tp）和（tpp）₂Ir（pic）仅仅只有60.4%和55.4%。选用表现较为出色的（tpte）₂Ir（tp）以不同浓度制成掺杂型器件,其中掺杂浓度2%、5%、10%、15%的（tpte）₂Ir（tp）启明电压分别为3.65 V、3.63 V、3.60 V、3.63 V,最大亮度分别为88200 cd m^-2、88230 cd m^-2、88363 cd m^-2、88250 cd m^-2,测得掺杂浓度为10%器件的最大电流效率（η_c）是48.4 cd A^-1,最大外量子效率(η_eqe)为14.1%。其次,利用咔唑的高三线态能级和高空穴迁移率的特性,将其与多种电子受体（酰胺、1,8-萘酐、联咪唑）结合制备了一系列双极性主体材料:4CzppD、EtCzNh、CzBpi、3CzBpi,并通过核磁和质谱确认它们的结构。它们的荧光发光波长范围在425nm-465nm,均属于蓝光发光。测得配合物4CzppD、EtCzNh、CzBpi、3CzBpi的荧光寿分别是2.4 ns、2.2 ns、0.8 ns、1.6 ns,量子效率4CzppD的最高,达到了68.5%,3CzBpi、EtCzNh、CzBpi分别为61.2%、40.3%、25.3%。将4CzppD、EtCzNh、3CzBpi作为主体材料,并与经典主体材料mCP对比,以Firpic作为客体材料制成一系列掺杂型器件,EtCzNh1和3CzBpi器件最大亮度分别是14030 cd m^-2、11710 cd m^-2,都比mCP(10101 cd m^-2)要高,器件的最大η_c和最大η_eqe方面,4CzppD(29.3 cd A^-1,21.0%)表现都高于mCP(25.0cd A^-1,9.6%),3CzBpi的最大η_c(25.5cd A^-1)高于mCP,而最大η_eqe（7.4%）低于mCP,EtCzNh的最大η_c(12.5 cd A^-1)低于mCP,但是最大η_eqe（9.9%）要高于mCP。可以看出引入位阻基团是可以降低发光层对掺杂剂浓度的敏感性,表现出了优良的磷光器件性能。并且从4CzppD、EtCzNh、3CzBpi的光物理性能和器件性能中可以看出它们适用于双极性主体材料。