【摘 要】
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该文成功地在普通载玻片上制备出高C轴择优取向、薄膜表面平整、致密、粒子大小均匀的纯ZnO薄膜.为了更好地优化制备条件,研究了Sol-Gel的热分解过程和Sol-Gel的形成机理.在
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该文成功地在普通载玻片上制备出高C轴择优取向、薄膜表面平整、致密、粒子大小均匀的纯ZnO薄膜.为了更好地优化制备条件,研究了Sol-Gel的热分解过程和Sol-Gel的形成机理.在此基础上结合当前热点,制备出Al<'3+>离子掺杂的ZnO透明导电薄膜,重点研究了影响薄膜光电性能的几个因素,优化出该工艺条件下的最佳参数.我们首先选用二水醋酸锌为前驱体,质子亲合力强的溶剂单乙醇胺为稳定剂,制备出以异丙醇或乙二醇甲醚为溶剂的Sol-Gel,经过预处理、烧结处理制备出纯ZnO薄膜,采用AFM、SEM、X射线衍射详细地研究薄膜的表面结构和表现粗糙度,借助UV-VIS透射光谱等手段对薄膜的光透性能进行详细地研究.其次,在Sol-Gel的热分解过程和Sol-Gel的形成机理的研究中,通过热分析分析了Sol-Gel的热分解过程,采用红外光谱、X射线衍射和SEM等手段分析了不同温度热处理的Sol-Gel和借助质谱等分析不同温度热处理的Sol-Gel所分解的气体.最后,采用Sol-Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al<'3+>离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.
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