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随着国家节能减排政策的不断推行以及人们环保意识的不断增强，低辐射镀膜玻璃作为建筑门窗使用已引起了广泛的关注。本课题采用APCVD法，以SiH4和TiCl4为反应前驱体在玻璃基板上分别制备了TiSi2、Ti5Si3单层薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）、U－4100型分光光度计、FTIR Nicolet5700型傅里叶红外光谱仪、四探针电阻测试仪等测试手段研究了SiH4/TiCl4摩尔比、反应温度及沉积时间三个工艺参数对薄膜性能的影响。研究结果表明：1、SiH4/TiCl4摩尔比为1、2时，制备得到Ti5Si3薄膜，其中SiH4/TiCl4摩尔比为2时制备得到的Ti5Si3薄膜晶相颗粒之间堆积更致密，因而薄膜可见光透射率更低；单位膜厚的晶相含量更低，所以薄膜方块电阻更低、红外反射率更高。SiH4/TiCl4摩尔比为3、4、5时，制备得到C54相TiSi2薄膜，随着SiH4/TiCl4摩尔比的升高，晶相颗粒之间堆积越来越疏松，因而薄膜可见光透射率逐渐升高；单位膜厚的晶相含量逐渐降低，所以薄膜电阻率逐渐增大、红外反射率逐渐降低。2、随着反应温度逐渐升高，晶相颗粒堆积密度逐渐增大，单位膜厚的晶相含量逐渐增多，薄膜电阻率逐渐降低，所以红外反射率逐渐增大，可见光透射率逐渐降低；当反应温度过高时，晶相成核速率降低，生长速率增加，导致形成大的晶相颗粒，晶相颗粒之间的空隙率增大，单位膜厚晶相含量减少，薄膜电阻率会升高，因而可见光透射率升高，红外反射率会降低。当反应温度为720℃时，Ti5Si3晶相结构完善，堆积致密，此时Ti5Si3薄膜的电阻率最低，红外反射率达到最高；反应温度为700℃时，TiSi2薄膜的电阻率最低，红外反射率达到最高。3、随着沉积时间的逐渐增加，晶相颗粒的堆积密度逐渐增加，薄膜电阻率逐渐降低，因而红外反射率逐渐升高；当沉积时间过大时，薄膜在原有致密均匀的晶相表面，因晶体的各向异性，晶相颗粒在特定方向不断生长成大尺寸晶相结构，薄膜晶相颗粒之间的空隙率逐渐增加，单位膜厚的晶相含量逐渐减少，因而薄膜电阻率不断升高，薄膜红外反射率逐渐下降。随着沉积时间不断加长，薄膜逐渐增厚，所以薄膜的透光率会逐渐下降。沉积时间为120s时Ti5Si3薄膜电阻率达到最小值1.21×10-4·cm、红外反射率最高为0.95。沉积时间为90s时TiSi2薄膜电阻率最低为2.16×10-5·cm、红外反射率达到最大值0.93。