【摘 要】
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三栅分栅型闪存的浮栅层末梢尖端高度决定了器件在擦除时F-N隧穿电流的大小,过低的尖端高度会使电场强度过低,从而出现器件擦除电流过小,导致擦除时间过长的情况。浮栅层末梢
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三栅分栅型闪存的浮栅层末梢尖端高度决定了器件在擦除时F-N隧穿电流的大小,过低的尖端高度会使电场强度过低,从而出现器件擦除电流过小,导致擦除时间过长的情况。浮栅层末梢尖端的形成与氮化物硬掩膜蚀刻后的剖面有直接关系。蚀刻氮化物硬掩膜时,等离子体中的CFx基团会在硬掩膜的侧壁生成一层聚合物,从而阻碍硬掩膜侧壁横向刻蚀的进行。CF2是生成这个聚合物的主要前驱物,等离子气体中CF2基团浓度变化会导致最终刻蚀特性的变化。当等离子体中的CF2减小时,淀积在硬掩膜侧壁上的聚合物随之减小,因此横向同性刻蚀得到加强,横向蚀刻的量越多。本文通过实验证明:高C/F比和较高的刻蚀腔压力有利于聚合物的产生;O2的加入会有效抑制聚合物的产生,而磁场的加入对于侧壁聚合物的影响不明显。
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