半导体量子点由于三维量子限域效应导致其类原子分立能级结构的存在，可望得到性能优异的新型光电器件。如以量子点作为激活层的激光器与量子阱激光器相比有更低的阈值电流，更高的增益和特征温度。Stranski-Krastanow模式（S—K模式）自组装量子点（SAQD）由于制备方法简单、无位错缺陷等特性而成为目前制备高质量量子点的主要方法。但由于目前对量子点自组装机理并不是很清楚，尤其是Ⅱ—Ⅵ族材料，即使对于研究得较多的CdSe/ZnSe材料系统也存在许多争议。因而导致其尺寸、形状、分布均匀性和密度难以控制。虽然目前对SAQD的垂直有序化、尺寸均匀性和自排列有一定的研究，但结果还不尽如人意。因此要想能真正地控制SAQD的生长还得从其最基本的生长机理入手。 研究量子点自组装机理的最好方式是直接观测量子点的自组装形成过程。原子力显微镜（AFM）为直接观测表面形貌的有力工具，但由于AFM不能提供原位监测，所以一般只能用于表征量子点的形貌或研究量子点的熟化展宽过程。 本论文利用AFM监测了自组装CdSe量子点的形成过程，并系统研究了自组装CdSe量子点的形成机理，主要取得了以下结果：1、利用LP—MOCVD生长了高质量的自组装CdSe量子点。利用AFM研究了自组装CdSe量子点的形成，并首次观测到了SAQD的形成过程。把SAQD能在低于临界厚度的外延层中形成归因于表面扩散与应变释放共同作用的结果。提出了利用表面扩散的慢过程补偿AFM测量所需的时间，从而利用AFM来研究自组装量子点形成机理的想法。2、利用AFM系统研究了自组装CdSe量子点的形成机理。提出了在低于临界厚度状态下SAQD形成的竞争机理，其中包括表面扩散导致的应变释放形成SAQD及表面粗糙化诱发的位错成核两种竞争过程。该机理能很好地解释目前存在于自组装CdSe量子点研究领域中的许多争议，并对进一步生长高质量SAQD有一定指导作用。3、通过对自组装 Cdse量子点的光学特性研究，进一步证实了 SAQD的形成。研究了在Znse基质中Cdse超薄层的光学特性，并认为界面扩散不利于外延层应变释放形成自组装量子点。