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本论文旨在探索无机半导体晶体材料的化学合成与生长路线。以水热、溶剂热技术为基础，利用各种控制方法和反应路线制备了多种半导体晶体，丰富和发展了水热法和溶剂热法制备技术。论文主要内容归纳如下：1.利用温和的反应路线，在高压釜内采用分置Ga源(金属Ga单质)和N源(NaNH2)的方法，通过扩散使它们逐渐接触，最终完成化学反应。实验温度从以往的高温合成降低至400-500℃，压强控制在100-500atm范围内。通过控制反应温度、反应时间等条件，来合成GaN纳米晶。用粉末X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱和红外光谱对产物进行了表征，并进一步研究其合成机理和物理化学性能。2.以传统的水热法为基础，辅以溶剂挥发技术，即水热卸压法生长ZnO单晶，丰富和发展了水热晶体生长技术。反应在碱性溶液中采用H2O2来氧化Zn单质。通过对体系饱和蒸气压、反应物浓度、温度、时间、PH值等反应条件的调节制备ZnO，实现了高质量ZnO的体相单晶的快速生长。用X射线衍射(XRD)，扫描电子显微镜(SEM)对产物进行了表征。详细探讨了实验条件对产物的形貌的影响和晶体生长机理。