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利用基于密度泛函理论平面波超软赝势方法和广义梯度近似,计算了S/(Se+S)分子计量比分别为25%,50%和75%的CuIn0.75Ga0.25(Se1-y,Sy)2(CIGSS)薄膜的能带结构、光学特性和电学特性。结果表明,CIGSS为直接禁带半导体结构。利用PLD方法制备上述三种CIGSS薄膜,采用能谱仪(EDS)检测薄膜成分,采用扫描电镜(SEM)分析了薄膜的表面形貌,采用霍尔效应测试仪测试了薄膜的电学特性,采用分光光度计分析了薄膜的光学特性,采用X射线衍射仪表征了薄膜的晶体结构。结果