激光脉冲沉积相关论文
目的：大面积创伤修复是众多临床皮肤疾病中最常见且最具挑战性的问题之一。虽然皮肤组织工程为解决创面修复提供了一种比较优越的方......
氮化钒(VN)由于具有熔点高，硬度高，化学性能稳定，且具有金属导电性等优点，近年来更是由于其高的理论电容率，显示出了在超级电容器领域的......
以YBa2Cu3O7-δ（YBCO）为代表的第二代高温超导材料--涂层导体，由于具有优越的性能而成为世界各国的研究热点。其中，过渡层作为涂层导体......
光纤传感技术是一项20世纪70年代开始新兴发展的传感技术,其特点是用光纤取代电路电线作为传感和传输的通道与媒介,信息以信号光为......
铁电材料在实际生活中有广泛的潜在应用,如铁电存储器,驱动器和传感器等方面[1-2]。铁电材料的性质与成分密切相关,例如Pb(Zrx......
用激光脉冲沉积(PLD)法在MgO(001)衬底上成功地生长、制备出了外延铌酸锶钡钠(SCNN)电光薄膜.对生长制备出的SCNN电光薄膜用X射线......
随着现代信息技术的发展,人机之间的信息交换更加频繁,从而对信息存贮载体、信息传输速率及信息显示器件提出了更高要求,而光学材......
多铁性材料指的是材料中同时具有两种或两种以上基本铁性，包括铁磁性、铁电性、铁弹性。材料的性能取决于材料的结构，而材料的结构又......
锆钛酸铅(Pb(Zr x Ti1-x)O3,0<x<1)是传统的铁电材料之一。由于其独特的铁电、热电以及压电等性能,基于铁电薄膜的器件一直受到人......
随着科学技术的进步，半导体制造工艺水平的提高，信息产业得到了快速发展。信息存储作为信息技术的一部分也得到了空前进步，存储器正朝......
利用基于密度泛函理论平面波超软赝势方法和广义梯度近似,计算了S/(Se+S)分子计量比分别为25%,50%和75%的CuIn0.75Ga0.25(Se1-y,Sy......
矩阵在求解光学问题中具有非常重要的作用。本文在第二章分别针对各向同性和各向异性介质的不同情况，从侧重于描述偏振光在各向异......
声表面波器件(SAW)因具有小型化、平面结构、设计简单等特点,在社会的各个领域得到了广泛的应用。随着SAW产品的大规模普及,声表面......
以Gd2O3-HfO2( GDH)固溶氧化物作为靶材,采用脉冲激光沉积技术(PLD)在Ge(100)衬底上制备了GDH高k栅介质外延薄膜,其外延生长方式为......
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了PZT铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面......
利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3（LNO）薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅（PZT）铁电薄膜。试验分析了La......
采用脉冲激光沉积方法（PLD）在不同温度的Si（100）衬底上制备了Gd2O3栅介质薄膜,利用X射线衍射、X射线反射率以及光电子能谱等方法对它的......
在从室温到800℃的温度范围内，用脉冲激光沉积方法在A1203（0001）衬底上制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜以及荧光光谱仪......
在制备出的阳极氧化铝模板上利用激光脉冲沉积法制得了直径为40nm～70nm的镍纳米线，将镍纳米线涂在栽玻片上作为基底，可以测得很强的苏......
采用激光脉冲沉积法,用XeCl准分子激光器在Si(100)基片、真空和5Pa氧气气氛下制备了Ni 2+(0.8%(原子分数))掺杂的呈六角纤锌矿结构......
以掺杂质量数为2％的Al2O3：ZnO为靶材，用激光脉冲沉积法，通过改变氧压和衬底温度调整薄膜的性能，制备得到相对优质的ZnO：Al薄膜，采用x射线......
使用阳极氧化铝模板来合成纳米级的阵列材料在纳米复刻领域是一种非常重要与关键的技术。本文报导了一种激光脉冲沉积的方法，使用带......
用激光脉冲沉积（PLD）法在MgO（001）衬底上成功地生长、制备出了外延Sr0．61Ba0．39Nb2O6（SBN：61）电光薄膜。对生长制备出的SBN：61电光薄膜用X-射......
以铝酸镧晶体为基片，采用两步法制备T1-2212超导薄膜，包括在低温(150℃)下利用激光脉冲沉积(PLD)工艺沉淀Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜......
在LaAlO3（100）基片上,利用激光脉冲沉积（PLD）制备了不同Nb掺杂浓度的高质量锐钛矿TiO2（Ti1-xNbxO2）薄膜,考察了不同掺杂浓度（不同载流子浓......
为了研究TiO2薄膜的生长机制及结构对其带隙的影响,采用激光脉冲沉积方法在超高真空下制备了TiO2薄膜.X射线衍射结果显示在不同温......
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长（100）Pb（Zr0.52Ti0.48）O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外......
用热氧化与脉冲激光沉积(PLD)两种方法在Si(111)上制备了ZnO薄膜。对两种方法制备的薄膜的形貌、结构和室温下的荧光光谱作了比较,......
由于化石能源的储量有限及其使用过程中带来的环境问题,世界各国将目光投向可再生的新型能源,太阳能发电被认为最有可能取代化石能......
金红石结构过渡金属氧化物(CrO2、TiO2、VO2、RuO2、SnO2等)因为其特殊多样的物理性质,在很多领域有着广泛的应用价值,一直是新型......
钙钛矿型氧化物由于其电子-电子关联、自旋、电荷、轨道自由度、电声子耦合作用等各种关联效应相互竞争导致了一系列丰富的物理性......
光子晶体是由电介质周期性排列形成的有序结构,可以用于调控光的反射、吸收及滤波等性能。目前在光热领域,光子晶体已经得到一些应......
论文陈述了对本实验室自制的大功率紫外准分子激光光源的结构优化和控制电路的改进,解决了XeCl准分子激光器的激励电路的和放电过......
ZnO基透明氧化物薄膜场效应晶体管（TFT）,由于制备温度低、可见光区域透明等优点,成为驱动有源矩阵有机电致发光显示器（AMOLED）的首选。......
六方纤锌矿结构的ZnO在c轴方向具有很强的晶格极化效应,为了消除其不利影响,可以使ZnO沿非极性或半极性方向生长。另一方面,制备高......
半导体技术的匕速发展和便携式设备的普及,对存储器的读写速度、存储密度、器件尺寸和能耗提出了更高的要求。而当前主流的Flash存......
本论文主要介绍了高K栅介质Gd2O3薄膜的生长以及表征,其次还对国家同步辐射实验室的红外与远红外实验站的线站改造进行了一定的介......
作为直接宽禁带半导体,ZnO具有3.37eV的禁带宽度和60meV的激子束缚能,被认为是制备紫外光电器件和激光器的理想材料。为了实现ZnO......
本论文分为两部分:采用脉冲激光沉积方法制备YIG磁性薄膜和设计制备了3D吸波结构。1988年发现巨磁阻效应以后,有关自旋的各种物理......
